(DE) Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit einer aktiven Zone (20) angegeben, die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen Mehrfachquantentopfstruktur enthält, welche eine Mehrzahl von aufeinander folgenden Quantentopfschichten (210, 220, 230) aufweist. Die Mehrfachquantentopfstruktur weist mindestens eine erste Quantentopfschicht (210) auf, die n-leitend dotiert ist und die zwischen zwei an die erste Quantentopfschicht angrenzenden, n-leitend dotierten Barriereschichten (250) angeordnet ist. Sie weist eine zweite Quantentopfschicht (220) auf, die undotiert ist und zwischen zwei an die zweite Quantentopfschicht angrenzenden Barriereschichten (250, 260) angeordnet ist, von denen eine n-leitend dotiert und die andere undotiert ist. Zudem weist die Mehrfachquantentopfstruktur mindestens eine dritte Quantentopfschicht (230) auf, die undotiert ist und die zwischen zwei an die dritte Quantentopfschicht angrenzenden, undotierten Barriereschichten (260) angeordnet ist.
(EN) The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip having an active zone (20), comprising a multiple quantum well structure provided for the production of electromagnetic radiation, having a plurality of sequential quantum well layers (210, 220, 230). The multiple quantum well structure comprises at least one first quantum well layer (210) that is doped in an n-conductive fashion and disposed between two barrier layers (250) doped in an n-conductive fashion and adjacent to the first quantum well layer. Said quantum well structure comprises a second quantum well layer (220) that is undoped and is disposed between two barrier layers (250, 260) adjacent to the second quantum well layer, one of said layers being doped and the other being undoped. In addition, the multiple quantum well structure comprises at least one third quantum well layer (230) that is undoped and disposed between two undoped barrier layers (260) adjacent to the third quantum well layer.
(FR) La présente invention concerne une microplaquette semi-conductrice optoélectronique comportant une zone active (20) contenant une structure de puits quantiques multiples qui présente une pluralité de couches de puits quantiques successives (210, 220, 230). Cette structure de puits quantiques multiples présente au moins une première couche de puits quantiques (210) qui est dopée p et qui est disposée entre deux couches barrières (250) limitant la première couche de puits quantiques. La structure présente une deuxième couche de puits quantiques (220) qui n'est pas dopée et qui est disposée entre deux couches barrières (250, 260) qui limitent la deuxième couche de puits quantiques, et dont l'une est dopée n, l'autre n'était pas dopée. En outre, la structure de puits quantiques multiples présente au moins une troisième couche de puits quantiques (230) qui n'est pas dopée et qui est disposée entre deux couches barrières non dopées (260) limitant la troisième couche de puits quantique.