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1. (WO2009018509) THIN FILM TRANSISTORS USING THIN FILM SEMICONDUCTOR MATERIALS
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Pub. No.: WO/2009/018509 International Application No.: PCT/US2008/071890
Publication Date: 05.02.2009 International Filing Date: 01.08.2008
IPC:
H01L 29/04 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29
Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
02
Semiconductor bodies
04
characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
Applicants:
YE, Yan [US/US]; US (UsOnly)
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US (AllExceptUS)
Inventors:
YE, Yan; US
Agent:
PATTERSON, Todd, B. ; Patterson & Sheridan, L.L.P. 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500 Houston, Texas 77056-6582, US
Priority Data:
60/953,68302.08.2007US
Title (EN) THIN FILM TRANSISTORS USING THIN FILM SEMICONDUCTOR MATERIALS
(FR) TRANSISTORS À FILM MINCE UTILISANT DES MATÉRIAUX SEMI-CONDUCTEURS À FILM MINCE
Abstract:
(EN) The present invention generally comprises TFTs having semiconductor material comprising oxygen, nitrogen, and one or more element selected from the group consisting of zinc, tin, gallium, cadmium, and indium as the active channel. The semiconductor material may be used in bottom gate TFTs, top gate TFTs, and other types of TFTs. The TFTs may be patterned by etching to create both the channel and the metal electrodes. Then, the source-drain electrodes may be defined by dry etching using the semiconductor material as an etch stop layer. The active layer carrier concentration, mobility, and interface with other layers of the TFT can be tuned to predetermined values. The tuning may be accomplished by changing the nitrogen containing gas to oxygen containing gas flow ratio, annealing and/or plasma treating the deposited semiconductor film, or changing the concentration of aluminum doping.
(FR) La présente invention concerne généralement des TFT qui possèdent un matériau semi-conducteur qui comprend de l'oxygène, de l'azote, et un ou plusieurs éléments sélectionnés parmi le groupe constitué du zinc, de l'étain, du gallium, du cadmium, et de l'indium en tant que canal actif. Le matériau semi-conducteur peut être utilisé dans des TFT de porte supérieure, des TFT de porte inférieure, et d'autres types de TFT. Les TFT peuvent posséder une configuration réalisée par gravure pour créer le canal et les électrodes métalliques. Ensuite, les électrodes source-drain peuvent être définies par gravure sèche en utilisant le matériau semi-conducteur en tant que couche d'arrêt de gravure. La concentration en porteur, la mobilité, et l'interface de la couche active avec d'autres couches du TFT peuvent être réglées à des valeurs prédéterminées. Le réglage peut être accompli en changeant le rapport d'écoulement du gaz qui contient de l'azote par rapport au gaz qui contient de l'oxygène, en recuisant et/ou en traitant au plasma le film semi-conducteur déposé, ou en changeant la concentration de dopage d'aluminium.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)