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1. WO2009010595 - MAGNETOELECTRIC DEVICE AND METHOD FOR WRITING NON-VOLATILE INFORMATION ON SAID DEVICE

Publication Number WO/2009/010595
Publication Date 22.01.2009
International Application No. PCT/ES2007/000427
International Filing Date 13.07.2007
IPC
G11C 11/16 2006.01
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
CPC
G11C 11/1675
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1675Writing or programming circuits or methods
G11C 11/2275
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
22using ferroelectric elements
225Auxiliary circuits
2275Writing or programming circuits or methods
Applicants
  • CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTÍFICAS [ES]/[ES] (AllExceptUS)
  • UNIVERSITAT AUTÒNOMA DE BARCELONA [ES]/[ES] (AllExceptUS)
  • INSTITUCIÓ CATALANA DE RECERCA I ESTUDIS AVANÇATS [ES]/[ES] (AllExceptUS)
  • FONTCUBERTA I GRIÑÓ, Josep [ES]/[ES] (UsOnly)
  • SÁNCHEZ BARRENA, Florencio [ES]/[ES] (UsOnly)
  • MATÍ I ROVIROSA, Xavier [ES]/[ES] (UsOnly)
  • HRABOVSKY, David [CZ]/[ES] (UsOnly)
  • LAUKHIN, Vladimir [RU]/[ES] (UsOnly)
  • SKUMRYEV, Vassil [BG]/[ES] (UsOnly)
Inventors
  • FONTCUBERTA I GRIÑÓ, Josep
  • SÁNCHEZ BARRENA, Florencio
  • MATÍ I ROVIROSA, Xavier
  • HRABOVSKY, David
  • LAUKHIN, Vladimir
  • SKUMRYEV, Vassil
Agents
  • ARIAS SANZ, Juan
Priority Data
Publication Language Spanish (ES)
Filing Language Spanish (ES)
Designated States
Title
(EN) MAGNETOELECTRIC DEVICE AND METHOD FOR WRITING NON-VOLATILE INFORMATION ON SAID DEVICE
(ES) DISPOSITIVO MAGNETOELÉCTRICO Y MÉTODO PARA ESCRIBIR INFORMACIÓN NO VOLÁTIL EN DICHO DISPOSITIVO
(FR) DISPOSITIF MAGNÉTO-ÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ POUR ÉCRIRE DES INFORMATIONS NON VOLATILES DANS CE DISPOSITIF
Abstract
(EN)
Magnetoelectric device and method for writing non-volatile information on said device. This invention concerns a device comprising at least a first ferromagnetic layer (202) and an element (204) attached by exchange-bias to this first ferromagnetic layer (202) at least in one area through an interphase (208), for controlling the magnetic state of the ferromagnetic layer (202) in the attachment zone with an electric field applied at least to the element (204), said element (204) comprising a material with inherent anti-ferromagnetic and ferroelectric features.
(ES)
Dispositivo magnetoeléctrico y método para escribir información no volátil en dicho dispositivo. Esta invención se refiere a un dispositivo que comprende por lo menos una primera capa ferromagnética (202) y un elemento (204) acoplado por exchange-bias a esta primera capa ferromagnética (202) por lo menos en una zona a través de una interfase (208), para controlar el estado magnético de la capa ferromagnética (202) en la zona de acoplamiento con un campo eléctrico aplicado por lo menos al elemento (204), comprendiendo dicho elemento (204) un material con las características antiferromagnéticas y ferroeléctricas ancladas.
(FR)
L'invention concerne un dispositif magnéto-électrique et un procédé pour écrire des informations non volatiles dans ce dispositif. Le dispositif comprend au moins une première couche ferromagnétique (202) et un élément (204) couplé par exchange bias (champ d'échange) à la première couche ferromagnétique (202) au moins dans une zone à travers une interface (208), en vue d'une régulation de l'état magnétique de la couche ferromagnétique (202) dans la zone de couplage au moyen d'un champ électrique appliqué au moins à l'élément (204), ledit élément (204) comprenant un matériau à propriétés antiferromagnétiques et ferroélectriques couplées.
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