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1. (WO2008103699) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING COMPOSITE CONTACT AND THE MANUFACTURING THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/103699    International Application No.:    PCT/US2008/054368
Publication Date: 28.08.2008 International Filing Date: 20.02.2008
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
Applicants: SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC. [GB/US]; 1195 Atlas Road, Columbia, SC 29209 (US) (For All Designated States Except US).
SIMIN, Grigory [RU/US]; (US) (For US Only).
SHUR, Michael [US/US]; (US) (For US Only).
GASKA, Remigijus [LT/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SIMIN, Grigory; (US).
SHUR, Michael; (US).
GASKA, Remigijus; (US)
Agent: LABATT, John, W.; Hoffman, Warnick & D'alessandro Llc, 75 State Street, 14th Floor, Albany, NY 12207 (US)
Priority Data:
60/903,104 23.02.2007 US
60/903,109 23.02.2007 US
60/905,634 08.03.2007 US
60/905,725 08.03.2007 US
11/781,302 23.07.2007 US
11/781,308 23.07.2007 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING COMPOSITE CONTACT AND THE MANUFACTURING THEREOF
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS AYANT UN CONTACT DE COMPOSITE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Abstract: front page image
(EN)A composite contact for a semiconductor device includes a DC conducting electrode that is attached to a semiconductor layer in the device, and a capacitive electrode that is partially over the DC conducting electrode and extends beyond the DC conducting electrode. A method of fabricating a semiconductor device with a composite contact includes forming the composite contact to a semiconductor layer in a semiconductor structure. The composite contact is formed by forming a DC conducting electrode attached to a semiconductor layer in a semiconductor structure and forming a capacitive electrode that is partially over the DC conducting electrode and extends beyond the DC conducting electrode. The composite contact provides a combined resistive-capacitive coupling to the semiconductor layer. As a result, a contact impedance is reduced when the corresponding semiconductor device is operated at high frequencies.
(FR)La présente invention concerne un contact de composite destiné à un dispositif à semi-conducteurs qui comporte une électrode conductrice en CC qui est reliée à une couche semi-conductrice dans le dispositif, et une électrode capacitive qui se trouve partiellement sur l'électrode conductrice en CC et s'étend au-delà de l'électrode conductrice en CC. Un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs doté d'un contact de composite comporte l'étape consistant à former le contact de composite sur une couche semi-conductrice dans une structure semi-conductrice. Le contact de composite est formé en formant une électrode conductrice en CC reliée à une couche semi-conductrice dans une structure semi-conductrice et en formant une électrode capacitive qui se trouve partiellement sur l'électrode conductrice en CC et qui s'étend au-delà de l'électrode conductrice en CC. Le contact de composite fournit un couplage résistant capacitif combiné à la couche semi-conductrice. Par conséquent, une impédance de contact est réduite lorsque le dispositif à semi-conducteurs correspondant est actionné à de hautes fréquences.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)