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1. (WO2008103549) AUTO-STOPPING SLURRIES FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING OF TOPOGRAPHIC DIELECTRIC SILICON DIOXIDE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/103549    International Application No.:    PCT/US2008/053128
Publication Date: 28.08.2008 International Filing Date: 06.02.2008
IPC:
C09C 1/68 (2006.01)
Applicants: FERRO CORPORATION [US/US]; 1000 Lakeside Avenue, Cleveland, OH 44114 (US) (For All Designated States Except US).
OSWALD, Eric [US/US]; (US) (For US Only).
FRINK, Sean [US/US]; (US) (For US Only).
KRAFT, Bradley [US/US]; (US) (For US Only).
SANTORA, Brian [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: OSWALD, Eric; (US).
FRINK, Sean; (US).
KRAFT, Bradley; (US).
SANTORA, Brian; (US)
Agent: CLARK, Kenneth, A.; Rankin, Hill, Porter & Clark LLP, 925 Euclid Avenue, Suite 700, Cleveland, OH 44115-1405 (US)
Priority Data:
11/678,248 23.02.2007 US
Title (EN) AUTO-STOPPING SLURRIES FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING OF TOPOGRAPHIC DIELECTRIC SILICON DIOXIDE
(FR) PÂTES À AUTO-ARRÊT POUR POLISSAGE CHIMIQUE MÉCANIQUE DE DIOXYDE DE SILICIUM DIÉLECTRIQUE TOPOGRAPHIQUE
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides auto-stopping CMP slurry compositions that minimize post-CMP non- uniformity and also extend the time that polishing can be continued beyond the end point without the risk of over- polishing the dielectric silicon dioxide film. Auto-stopping CMP slurry compositions according to the invention include ceria abrasive particles and an effective amount of a polyalkylamine such as polyethyleneimine dispersed in water. The methods of the invention include polishing a topographic dielectric silicon dioxide film layer using the auto-stopping CMP slurry compositions to obtain a dielectric silicon dioxide surface having a desired predetermined minimum step height.
(FR)La présente invention concerne des compositions de pâte CMP à auto-arrêt qui minimisent la non-uniformité post CMP et prolongent également le temps pendant lequel le polissage peut être poursuivi au-delà du point limite sans risquer de trop polir le film de dioxyde de silicium diélectrique. Les compositions de pâte CMP à auto-arrêt selon l'invention comprennent des particules abrasives d'oxyde de cérium et une quantité efficace d'une polyalkylamine telle que la poléthylèneimine dispersée dans de l'eau. Les procédés selon l'invention comprennent le polissage d'un film de dioxyde de silicium diélectrique topographique en utilisant les compositions de pâte CMP à auto-arrêt pour obtenir une surface de dioxyde de silicium diélectrique possédant une hauteur de pas minimum prédéterminée souhaitée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)