WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2008102967) SEMICONDUCTOR LASER DIODE WITH QUANTUM WELLS STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/102967    International Application No.:    PCT/KR2008/000932
Publication Date: 28.08.2008 International Filing Date: 18.02.2008
IPC:
H01S 5/34 (2006.01)
Applicants: INDUSTRY FOUNDATION OF CHONNAM NATIONAL UNIVERSITY [KR/KR]; 300, Yongbong-Dong, Buk-Gu, Gwangju 500-757 (KR) (For All Designated States Except US).
RYU, Sang Wan [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: RYU, Sang Wan; (KR)
Agent: JEONG, Tae Hoon; 6th Floor, Dabo Building, 706-16, Yeoksam-dong, Gangnam-Gu, Seoul 135-918 (KR)
Priority Data:
10-2007-0017434 21.02.2007 KR
Title (EN) SEMICONDUCTOR LASER DIODE WITH QUANTUM WELLS STRUCTURE
(FR) DIODE LASER À SEMI-CONDUCTEUR PRÉSENTANT UNE STRUCTURE À PUITS QUANTIQUES
Abstract: front page image
(EN)Provided is a semiconductor laser diode having a quantum well structure. The semiconductor laser diode includes: a substrate; a buffer layer formed on the substrate; a lower cladding layer formed on the buffer layer; a first Separate Confinement Heterostructure (SCH) layer formed on the lower cladding layer and having an n-type doped region in an upper part thereof and a p-type doped region in a lower part thereof; an active layer formed on the first SCH layer and having a multi-quantum- well structure in which a plurality of quantum well layers and barrier layers are alternately formed; a second SCH layer formed on the active layer and having an n-type doped region in a lower part thereof and a p-type doped region in an upper part thereof; an upper cladding layer formed on the second SCH layer; and a contact layer formed on the upper cladding layer. According to the semiconductor laser diode, energy band shapes of the first and second SCH layers are changed, and thus temperature characteristics can be improved.
(FR)L'invention concerne une diode lase à semi-conducteur présentant une structure à puits quantiques. La diode laser à semi-conducteur comprend: un substrat; une couche tampon formée sur le substrat; une couche de revêtement inférieure formée sur la couche tampon; une première couche d'hétérostructure à confinement séparé (SCH) formée sur la couche de revêtement inférieure et présentant une région dopée de type n au niveau d'une partie supérieure et une région dopée de type p au niveau d'une partie inférieure; une couche active formée sur la première couche SCH et présentant une structure à puits quantiques multiples dans laquelle une pluralité de couches de puits quantiques et de couches barrières sont formées de manière alternée; une seconde couche SCH formée sur la couche active et présentant une région dopée de type n au niveau d'une partie inférieure et une région dopée de type p au niveau d'une région supérieure; une couche de revêtement supérieure formée sur la seconde couche SCH; et une couche de contact formée sur la couche de revêtement supérieure. Suivant la diode laser à semi-conducteur, les formes de bandes d'énergie des première et seconde couches SCH varient, et ainsi, les caractéristiques de température peuvent être améliorées.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: Korean (KO)