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1. (WO2008102914) SEMICONDUCTOR POWER CONVERTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/102914    International Application No.:    PCT/JP2008/053348
Publication Date: 28.08.2008 International Filing Date: 20.02.2008
Chapter 2 Demand Filed:    26.08.2008    
IPC:
H02M 7/48 (2007.01)
Applicants: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKAMURA, Hideo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
WATANABE, Tomoyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OONO, Hirotaka [JP/JP]; (JP) (For US Only).
INAGAKI, Nobuaki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAKAMURA, Hideo; (JP).
WATANABE, Tomoyuki; (JP).
OONO, Hirotaka; (JP).
INAGAKI, Nobuaki; (JP)
Agent: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office Nakanoshima Central Tower 22nd Floor, 2-7, Nakanoshima 2-chome Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2007-042205 22.02.2007 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR POWER CONVERTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE DE SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体電力変換装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A bus bar (200a) has an integrally formed lead section (210a) and an integrally formed bus bar section (205a). The lead section (210a) is arranged to have a shape branched from the bus bar section (205a). A part of the lead section (210a) forms a bonding area (215a) which is directly bonded electrically to a transistor electrode (150) and to a diode electrode (164) with a bonding material (160) such as solder. The thickness (t2) of the lead section (210a) including the bonding area (215a) is made thinner than the thickness (t1) of the bus bar section (205a). Thus, a wiring connecting structure wherein the electrode and the bus bar of a semiconductor element can be directly bonded electrically and a thermal stress at the bonding sections of both the electrode and the bus bar can be relaxed is provided.
(FR)Une barre omnibus (200a) a une section de conducteur formée d'un seul tenant (210a) et une section de barre omnibus formée d'un seul tenant (205a). La section de conducteur (210a) est disposée pour avoir une forme ramifiée à partir de la section de barre omnibus (205a). Une partie de la section de conducteur (210a) forme une zone de liaison (215a) qui est directement liée électriquement à une électrode de transistor (150) et à une électrode de diode (164) avec un matériau de liaison (160), tel qu'une brasure. L'épaisseur (t2) de la section de conducteur (210a) comprenant la zone de liaison (215a) est rendue plus fine que l'épaisseur (t1) de la section de bar omnibus (205a). Ainsi, une structure de connexion de câblage dans laquelle l'électrode et la barre omnibus d'un élément semi-conducteur peuvent être directement liées électriquement et une contrainte thermique au niveau des sections de liaison à la fois de l'électrode et de la barre omnibus peut être relâchée, est fournie.
(JA) バスバー(200a)は、一体に成形されたリード部(210a)およびバスバー部(205a)を有する。リード部(210a)は、バスバー部(205a)より分岐される形状にて設けられる。リード部(210a)の一部は、はんだ等の接合材(160)によって、トランジスタ電極(150)およびダイオード電極(164)と直接的に電気的に接合される接合部位(215a)を形成する。接合部位(215a)を含むリード部(210a)の肉厚(t2)は、バスバー部(205a)の肉厚(t1)よりも薄くされる。これにより、半導体素子の電極およびバスバー間を電気的に直接接合するとともに、両者の接合部の熱応力を緩和可能な配線接続構造が提供できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)