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1. (WO2008102687) PIEZOELECTRIC DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/102687    International Application No.:    PCT/JP2008/052432
Publication Date: 28.08.2008 International Filing Date: 14.02.2008
IPC:
H01L 41/09 (2006.01), H01L 41/187 (2006.01), H01L 41/22 (2006.01)
Applicants: NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56 Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530 (JP)
Inventors: SHIMIZU, Hideki; (JP).
EBIGASE, Takashi; (JP)
Agent: YOSHITAKE, Hidetoshi; 10th floor, Sumitomo-seimei OBP Plaza Bldg. 4-70, Shiromi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
Priority Data:
60/890,636 20.02.2007 US
Title (EN) PIEZOELECTRIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電/電歪素子
Abstract: front page image
(EN)In the production of a multilayer piezoelectric device wherein an electrode film mainly composed of platinum or an platinum alloy and having a thickness of not more than 2.0 μm and a piezoelectric film are arranged, one or both of yttrium oxide (Y2O3) and cerium oxide (CeO2) are added to the electrode film or the piezoelectric film, and the electrode film and the piezoelectric film are fired at the same time. Consequently, the thickness of the electrode film is reduced, the heat resistance of the electrode film is improved, and change in the piezoelectric characteristics over time is reduced. As a result, there is obtained a piezoelectric device having good initial piezoelectric characteristics, which is reduced in change in the piezoelectric characteristics over time.
(FR)L'invention concerne un dispositif piézoélectrique multicouches dans lequel sont agencés un film d'électrode principalement composé de platine ou d'un alliage de platine et ayant une épaisseur ne dépassant pas 2,0 μm et un film piézoélectrique. Dans ledit dispositif, un oxyde d'yttrium (Y2O3) et/ou un oxyde de cérium (CeO2) sont ajoutés au film d'électrode ou au film piézoélectrique, et le film d'électrode et le film piézoélectrique sont allumés en même temps. Par conséquent, l'épaisseur du film d'électrode est réduite, la résistance thermique du film d'électrode est améliorée, et le changement des caractéristiques piézoélectriques dans le temps est réduit. Par conséquent, on obtient un dispositif piézoélectrique doté de bonnes caractéristiques piézoélectriques initiales, lesdites caractéristiques piézoélectriques changeant peu dans le temps.
(JA) 白金又は白金を主成分とする合金の電極膜であって膜厚が2.0μm以下のものと圧電/電歪膜とを積層した積層型の圧電/電歪素子の製造にあたって、電極膜又は圧電/電歪膜に酸化イットリウム(Y2O3)及び酸化セリウム(CeO2)の両方又は一方を添加しておき、電極膜と圧電/電歪膜とを同時焼成する。これにより、電極膜の膜厚を薄くすること、電極膜の耐熱性を向上すること及び圧電/電歪特性の経時変化を小さくすることを同時に実現することができ、初期圧電/電歪特性が良好で圧電/電歪特性の経時変化が小さい圧電/電歪素子を得ることができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)