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1. (WO2008102679) PLASMA PROCESSING EQUIPMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/102679    International Application No.:    PCT/JP2008/052360
Publication Date: 28.08.2008 International Filing Date: 13.02.2008
IPC:
H05H 1/24 (2006.01), B08B 7/00 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Applicants: PANASONIC ELECTRIC WORKS CO., LTD. [JP/JP]; 1048, Oaza-Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718686 (JP) (For All Designated States Except US).
SHIBATA, Tetsuji; (For US Only).
TAGUCHI, Noriyuki; (For US Only).
NAKAZONO, Yoshiyuki; (For US Only)
Inventors: SHIBATA, Tetsuji; .
TAGUCHI, Noriyuki; .
NAKAZONO, Yoshiyuki;
Agent: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2007-039847 20.02.2007 JP
Title (EN) PLASMA PROCESSING EQUIPMENT
(FR) EQUIPEMENT DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
Abstract: front page image
(EN)Plasma processing equipment (A) in which plasma generating gas (G) is activated by discharge and an article (H) is processed by blowing the activated plasma generating gas (G) thereto. A coated electrode (3) is formed by burying a conductive layer (2) in an insulating substrate (1) composed of a ceramic sintered body. A plurality of coated electrodes (3, 3, ...) are arranged oppositely to form a discharge space (4) between them. A power supply (5) is provided in order to generate discharge in the discharge space (4) by applying a voltage to the conductive layer (2). Since a ceramic material is not sprayed, material cost of the coated electrode (3) can be reduced while the production process can be simplified. Since the ceramic sintered body is compact and has a low porosity as compared with a coating of ceramic spray, dielectric breakdown is retarded during discharge.
(FR)La présente invention concerne un équipement (A) de traitement au plasma dans lequel un gaz (G) de génération de plasma est activé par décharge et un article (H) est traité en amenant le gaz (G) de génération de plasma sur celui-ci. Une électrode revêtue (3) est formée en enterrant une couche conductrice (2) dans un substrat isolant (1) composé d'un corps fritté de céramique. Une pluralité d'électrodes revêtues (3, 3, ...) est disposée de façon opposée pour former un espace (4) de décharge entre celles-ci. Une alimentation électrique (5) est fournie afin de générer une décharge dans l'espace (4) de décharge en appliquant une tension sur la couche conductrice (2). Puisque aucun matériau de céramique n'est projeté, il est possible de réduire le coût de matériau de l'électrode revêtue (3) et de simplifier le processus de production. Puisque le corps fritté de céramique est compact et a une faible porosité par rapport au revêtement d'une projection de céramique, le claquage diélectrique est retardé lors de la décharge.
(JA) プラズマ生成用ガスGを放電により活性化させ、この活性化されたプラズマ生成用ガスGを被処理物Hに吹き付けて処理するためのプラズマ処理装置Aに関する。セラミック焼結体からなる絶縁基板1に導電層2を埋設して被覆電極3を形成する。複数の被覆電極3、3…を対向配置して被覆電極3、3の間を放電空間4として形成する。導電層2に電圧を印加して放電空間4に放電を発生させるために電源5を備える。セラミック材料の溶射も行わないため、被覆電極3の材料の低コスト化や製造工程の簡素化することができる。セラミック焼結体はセラミック溶射の被膜よりも空隙率が小さくて緻密であるため、放電時に絶縁破壊が起こりにくくなる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)