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1. (WO2008102650) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/102650    International Application No.:    PCT/JP2008/052059
Publication Date: 28.08.2008 International Filing Date: 07.02.2008
IPC:
G11C 11/15 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Applicants: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku Tokyo 1088001 (JP) (For All Designated States Except US).
SAKIMURA, Noboru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HONDA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUGIBAYASHI, Tadahiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SAKIMURA, Noboru; (JP).
HONDA, Takeshi; (JP).
SUGIBAYASHI, Tadahiko; (JP)
Agent: KUDOH, Minoru; 6F, KADOYA BLDG., 24-10, Minamiooi 6-chome, Shinagawa-ku Tokyo 1400013 (JP)
Priority Data:
2007-041204 21.02.2007 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体記憶装置
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor storage device is provided with a memory array having a plurality of memory cells. The memory cells include a first memory cell and a third memory cell arranged along an even number row or an odd number row, and a second memory cell arranged along the other row. Each of the memory cells includes a first transistor, including a first diffusion layer and a second diffusion layer; a second transistor, including a third diffusion layer and a fourth diffusion layer; and a magnetoresistive element having one terminal connected to a wiring layer, which electrically connects the second diffusion layer and the third diffusion layer. The fourth diffusion layer of the first memory cell is also used as the first diffusion layer of the second memory cell. Furthermore, the fourth diffusion layer of the second memory cell is also used as the first diffusion layer of the third memory cell.
(FR)Un dispositif de stockage semi-conducteur comporte un réseau de mémoire ayant une pluralité de cellules mémoires. Les cellules mémoires comprennent une première cellule mémoire et une troisième cellule mémoire disposées le long d'une rangée de numéro pair ou d'une rangée de numéro impair, et une seconde cellule mémoire disposée le long de l'autre rangée. Chacune des cellules mémoires comprend un premier transistor, comprenant une première couche de diffusion et une seconde couche de diffusion ; un second transistor, comprenant une troisième couche de diffusion et une quatrième couche de diffusion ; et un élément magnéto-résistif ayant une borne connectée à une couche de câblage, qui connecte électriquement la seconde couche de diffusion et la troisième couche de diffusion. La quatrième couche de diffusion de la première cellule mémoire est également utilisée en tant que première couche de diffusion de la seconde cellule mémoire. De plus, la quatrième couche de diffusion de la seconde cellule mémoire est également utilisée en tant que première couche de diffusion de la troisième cellule mémoire.
(JA) 半導体記憶装置が、複数のメモリセルを備えるメモリアレイを具備する。複数のメモリセルは、偶数行及び奇数行のいずれか一方に沿って配置された第1メモリセル及び第3メモリセルと、他方に沿って配置された第2メモリセルとを備える。複数のメモリセルの各々は、第1拡散層と第2拡散層とを含む第1トランジスタと、第3拡散層と第4拡散層とを含む第2トランジスタと、第2拡散層と第3拡散層とを電気的に接続する配線層に一方の端子を接続された磁気抵抗素子とを含む。第1メモリセルの第4拡散層は、第2メモリセルの第1拡散層としても使用される。加えて、第2メモリセルの第4拡散層は、第3メモリセルの第1拡散層としても使用される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)