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1. (WO2008102484) METHOD AND APPARATUS FOR EVALUATING FILM QUALITY AND THIN FILM DEVICE MANUFACTURING SYSTEM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/102484    International Application No.:    PCT/JP2007/071178
Publication Date: 28.08.2008 International Filing Date: 31.10.2007
IPC:
G01N 21/27 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 16-5, Konan 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1088215 (JP) (For All Designated States Except US).
SAKAI, Satoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TSUMURA, Yoichiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IIDA, Masami [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KAWAZOE, Kohei [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SAKAI, Satoshi; (JP).
TSUMURA, Yoichiro; (JP).
IIDA, Masami; (JP).
KAWAZOE, Kohei; (JP)
Agent: FUJITA, Takaharu; Mitsubishijuko Yokohama Bldg. 24F, 3-1, Minatomirai 3-chome, Nishi-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2200012 (JP)
Priority Data:
2007-039596 20.02.2007 JP
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR EVALUATING FILM QUALITY AND THIN FILM DEVICE MANUFACTURING SYSTEM
(FR) PROCÉDÉS ET APPAREILS PERMETTANT D'ÉVALUER LA QUALITÉ D'UN FILM ET SYSTÈME DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À COUCHES MINCES
(JA) 膜質評価方法およびその装置ならびに薄膜デバイスの製造システム
Abstract: front page image
(EN)Burden on an operator is reduced and production efficiency is improved. Light is applied to a crystalline silicon film to be used for a thin film silicon device, reflection light reflected by the crystalline silicon film is detected, a parameter relating to luminance of the detected reflection light is measured, and the quality of crystalline silicon film is evaluated corresponding to whether the parameter relating to the luminance is within a previously set suitable range or not.
(FR)La présente invention permet de réduire la charge de travail d'un opérateur et d'améliorer l'efficacité de production. Un procédé selon l'invention consiste à appliquer de la lumière sur un film de silicium cristallin destiné à un dispositif en silicium à couches minces, à détecter une lumière de réflexion réfléchie par le film de silicium cristallin, à mesurer un paramètre lié à la luminance de la lumière de réflexion détectée, et à évaluer la qualité du film de silicium cristallin en déterminant si le paramètre lié à la luminance est compris ou non dans une plage appropriée définie précédemment.
(JA) 作業員の負担を軽減させるとともに、製造効率を向上させることを目的とする。薄膜シリコン系デバイスに用いる結晶質シリコン膜に光を照射し、結晶質シリコン膜で反射された反射光を検出し、検出した反射光の輝度に係るパラメータを計測し、該輝度に係るパラメータが予め設定されている適正範囲内であるか否かに応じて、該結晶質シリコン膜の膜質評価を行う。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)