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1. (WO2008102438) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/102438    International Application No.:    PCT/JP2007/053138
Publication Date: 28.08.2008 International Filing Date: 21.02.2007
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
Applicants: FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED [JP/JP]; 7-1, Nishi-Shinjuku 2-chome Shinjuku-ku, Tokyo 1630722 (JP) (For All Designated States Except US).
NAGAI, Kouichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAGAI, Kouichi; (JP)
Agent: OKAMOTO, Keizo; OKAMOTO PATENT OFFICE Yamanishi Bldg, 4F 11-7, Nihonbashi Ningyo-cho 3-chome Chuo-ku, Tokyo 1030013 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)First interlayer insulating film (121) is formed, and etching stopper film (122) consisting of SiON is formed thereon. Subsequently, a first contact hole extending from the superior face of the etching stopper film (122) to high-concentration impurity region (118) is formed, and the same is filled with W to thereby form plug (124). Thereafter, ferroelectric capacitor (131), second interlayer insulating film (132), etc. are formed. Then, a second contact hole extending from the superior face of the second interlayer insulating film (132) to the plug (124) is formed, and the same is filled with W to thereby form plug (134). By virtue of the etching stopper film (122), even when the second contact hole is displaced, etching of the first interlayer insulating film (121) can be prevented to thereby avoid any occurrence of sinkholes where moisture and impurities are retained.
(FR)Selon l'invention, un premier film isolant intercouche (121) est formé, et un film d'arrêt de gravure (122) consistant en SiON est formé sur celui-ci. Ultérieurement, un premier trou de contact s'étendant à partir de la face supérieure du film d'arrêt de gravure (122) vers une région d'impuretés en concentration élevée (118) est formé, et celui-ci est rempli de W pour ainsi former un bouchon (124). Ensuite, un condensateur ferroélectrique (131), un second film isolant intercouche (132), etc., sont formés. Ensuite, un second trou de contact s'étendant à partir de la face supérieure du second film isolant intercouche (132) vers le bouchon (124) est formé, et celui-ci est rempli de W pour ainsi former un bouchon (134). En vertu du film d'arrêt de gravure (122), même lorsque le second trou de contact est déplacé, la gravure du premier film isolant intercouche (121) peut être empêchée pour éviter ainsi toute apparition de retassure où l'humidité et les impuretés sont retenues.
(JA)第1の層間絶縁膜121を形成した後、その上にSiONからなるエッチングストッパ膜122を形成する。次に、エッチングストッパ膜122の上面から高濃度不純物領域118に到達する第1のコンタクトホールを形成し、Wを充填してプラグ124を形成する。その後、強誘電体キャパシタ131及び第2の層間絶縁膜132等を形成した後、第2の層間絶縁膜132の上面からプラグ124に到達する第2のコンタクトホールを形成し、Wを充填してプラグ134を形成する。エッチングストッパ膜122により、第2のコンタクトホールに位置ずれが発生しても、第1の層間絶縁膜121がエッチングされず、水分や不純物が溜まる窪みが発生しない。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)