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1. (WO2008102060) HIGH SILICON CONTENT SILOXANE POLYMERS FOR INTEGRATED CIRCUITS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/102060    International Application No.:    PCT/FI2008/050080
Publication Date: 28.08.2008 International Filing Date: 21.02.2008
Chapter 2 Demand Filed:    16.04.2009    
IPC:
C08G 77/14 (2006.01), C08G 77/18 (2006.01), C08G 77/20 (2006.01), C08G 77/24 (2006.01), H01B 3/46 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01)
Applicants: SILECS OY [FI/FI]; Kutojantie 2 B, FI-02630 Espoo (FI) (For All Designated States Except US).
RANTALA, Juha, T. [FI/FI]; (FI) (For US Only).
GÄDDA, Thomas [FI/FI]; (FI) (For US Only).
PAULASAARI, Jyri [FI/FI]; (FI) (For US Only)
Inventors: RANTALA, Juha, T.; (FI).
GÄDDA, Thomas; (FI).
PAULASAARI, Jyri; (FI)
Agent: SEPPO LAINE OY; Itämerenkatu 3 B, FI-00180 Helsinki (FI)
Priority Data:
60/902,494 22.02.2007 US
Title (EN) HIGH SILICON CONTENT SILOXANE POLYMERS FOR INTEGRATED CIRCUITS
(FR) POLYMÈRES SILOXANE À TENEUR ÉLEVÉE EN SILICIUM, POUR CIRCUITS INTÉGRÉS
Abstract: front page image
(EN)Thin films are disclosed that are suitable as thin films in IC's and for other similar applications. In particular, the invention concerns thin films comprising compositions obtainable by hydrolysis of two or more silicon compounds, which yield an at least partially cross-linked siloxane structure. The invention also concerns a method for producing such films by preparing siloxane compositions by hydrolysis of suitable reactants, by applying the hydrolyzed compositions on a substrate in the form of a thin layer and by curing the layer to form a high silicon content film.
(FR)La présente invention se rapporte à des couches minces qui sont appropriées pour servir de couches minces dans des circuits intégrés, ainsi que pour d'autres applications similaires. En particulier, l'invention se rapporte à des couches minces comprenant des compositions susceptibles d'être obtenues par hydrolyse de deux ou plusieurs composés de silicium, qui permettent d'obtenir une structure siloxane au moins partiellement réticulée. La présente invention se rapporte également à un procédé de fabrication de ces couches minces par préparation de compositions siloxane par hydrolyse de réactifs adéquats selon les étapes suivantes : application des compositions hydrolysées sur un substrat sous la forme d'une couche mince ; et durcissement de la couche de façon à former une couche à teneur élevée en silicium.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)