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1. (WO2008101989) SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/101989    International Application No.:    PCT/EP2008/052131
Publication Date: 28.08.2008 International Filing Date: 21.02.2008
IPC:
H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/40 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01)
Applicants: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. [DE/DE]; Rudower Chaussee 17, 12489 Berlin (DE) (For All Designated States Except US).
BAHAT-TREIDEL, Eldat [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SIDOROV, Victor [IL/DE]; (DE) (For US Only).
WUERFL, Joachim [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: BAHAT-TREIDEL, Eldat; (DE).
SIDOROV, Victor; (DE).
WUERFL, Joachim; (DE)
Agent: HENGELHAUPT, Jürgen D.; Gulde Hengelhaupt Ziebig & Schneider, Wallstrasse 58/59, 10179 Berlin (DE)
Priority Data:
10 2007 010 562.4 22.02.2007 DE
Title (DE) HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ POUR LE PRODUIRE
Abstract: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft einen Transistor, bei dem das elektrische Feld mittels Feldplatten in der aktiven Region in kritischen Gebieten reduziert und dadurch das elektrische Feld entlang des Bauelements gleichmäßiger verteilt wird. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Transistor und ein Verfahren zu dessen Herstellung anzugeben, bei dem das elektrische Feld in der aktiven Region geglättet ist (bzw. Feldspitzen reduziert sind), wobei das Bauelement preiswerter und einfacher herstellbar ist. Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement weist ein Substrat (20) mit einer darauf angeordneten aktiven Schichtstruktur auf, wobei auf der aktiven Schichtstruktur (24, 26) ein Sourcekontakt (30) und ein Drainkontakt (28) angeordnet ist, und der Sourcekontakt (30) und der Drainkontakt (28) voneinander beabstandet sind, und mindestens ein Teil eines Gatekontakts (32) auf der aktiven Schichtstruktur (24, 26) im Bereich zwischen Sourcekontakt (30) und Drainkontakt (28) angeordnet ist, wobei eine Gate-Feldplatte (34) mit dem Gatekontakt (32) elektrisch verbunden ist, und wobei zusätzlich mindestens zwei separate Feldplatten (50, 52, 54, 56, 58, 60) direkt auf der aktiven Schichtstruktur (24, 26) oder direkt auf einer Passivierungsschicht (36) angeordnet sind.
(EN)The invention relates to a transistor, in which the electric field is reduced in critical areas using field plates, thus permitting the electric field to be more uniformly distributed along the component. The aim of the invention is to provide a transistor and a production method therefor, wherein the electric field in the active region is smoothed (and field peaks are reduced), thus allowing the component to be made more simply and cost-effectively. The semiconductor component according to the invention has a substrate (20) which is provided with an active layer structure, a source contact (30) and a drain contact (28) being located on said active layer structure (24, 26). The source contact (30) and the drain contact (28) are mutually spaced and at least one part of a gate contact (32) is provided on the active layer structure (24, 26) in the region between the source contact (30) and the drain contact (28), a gate field plate (34) being electrically connected to the gate contact (32). In addition, at least two separate field plates (50, 52, 54, 56, 58, 60) are placed directly on the active layer structure (24, 26) or directly on a passivation layer (36).
(FR)L'invention concerne un transistor dans lequel le champ électrique est réduit dans la région active, au moyen de magnétorésistances, dans des zones critiques, ce qui permet au champ électrique d'être réparti de manière plus uniforme le long du composant. L'invention vise à mettre au point un transistor et un procédé permettant de le produire. Selon ce procédé, le champ électrique est lissé dans la région active (par ex. les crêtes de champ sont réduites), le composant étant par conséquent plus économique et plus simple à produire. Selon l'invention, ledit composant à semi-conducteurs présente un substrat (20) avec une structure active en couche disposée dessus. Un contact de source (30) et un contact de drain (28) sont disposés sur la structure active en couche. Le contact de source (30) et le contact de drain (28) sont espacés l'un de l'autre et au moins une partie du contact de grille (32) sur la structure active en couche (24, 26) est disposée dans la zone située entre le contact de source (30) et le contact de drain (28). Une magnétorésistance de grille (34) est connectée électriquement avec le contact de grille (32). En outre, au moins deux magnétorésistances (50, 52, 54, 56, 58, 60) séparées sont disposées directement sur la structure active en couche (24, 26) ou directement sur une couche de passivation (36).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)