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1. (WO2008101626) METHOD FOR PRODUCING (AL, GA)INN CRYSTALS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/101626    International Application No.:    PCT/EP2008/001107
Publication Date: 28.08.2008 International Filing Date: 14.02.2008
IPC:
C30B 25/02 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01), C30B 29/40 (2006.01)
Applicants: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH [DE/DE]; Am Junger Löwe Schacht 5, 09599 Freiberg (DE) (For All Designated States Except US).
LEIBIGER, Gunnar [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HABEL, Frank [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: LEIBIGER, Gunnar; (DE).
HABEL, Frank; (DE)
Agent: DÖRR, Klaus; Luderschmidt, Schüler & Partner, John-F.-Kennedy-Strasse 4, 65189 Wiesbaden (DE)
Priority Data:
10 2007 009 839.3 23.02.2007 DE
60/891,251 23.02.2007 US
10 2007 009 412.6 23.02.2007 DE
60/891,252 23.02.2007 US
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON (AL, GA)INN-KRISTALLEN
(EN) METHOD FOR PRODUCING (AL, GA)INN CRYSTALS
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CRISTAUX D'(Al, Ga)InN
Abstract: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein neues Verfahren zur Herstellung von (AI, Ga)InN und AIGaInN Einkristallen mittels eines modifizierten HVPE-Verfahrens, sowie (AI, Ga)InN und AIGaInN Bulkkristalle hoher Güte, insbesondere Homogenität. Die mittels des erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten III-V-Verbindungshalbleiter werden in der Optoelektronik, insbesondere für blaue, weiße und grüne LEDs, sowie für Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenzfeldeffekt-transistoren verwendet.
(EN)The invention relates to a novel method for producing (AI, Ga)InN and AIGaInN monocrystals by means of a modified HVPE method, in addition to (AI, Ga)InN and AIGaInN bulk crystals of high quality, especially high homogeneity. The III-V compound semiconductors produced by means of the inventive method are used in optoelectronics, especially for blue, white and green LEDs, and for high-performance, high-temperature and high-frequency field effect transistors.
(FR)La présente invention concerne un nouveau procédé de production de monocristaux d'(AI, Ga)InN et d'AIGaInN par un procédé d'épitaxie en phase vapeur aux hydrures (HVPE) modifié, ainsi que des cristaux massifs d'(AI, Ga)InN et d'AIGaInN de grande qualité, en particulier de grande homogénéité. Les composés semi-conducteurs III-V produits par ce procédé sont utilisés dans le domaine de l'optoélectronique, en particulier pour des DEL bleues, blanches et vertes, de même que pour des transistors à effet de champ de grande puissance, à haute température et à haute fréquence.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)