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1. (WO2008100708) SYSTEMS AND METHOD FOR OPTIMIZATION OF LAZER BEAM SPATIAL INTENSITY PROFILE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/100708    International Application No.:    PCT/US2008/052494
Publication Date: 21.08.2008 International Filing Date: 30.01.2008
IPC:
B23K 26/00 (2006.01)
Applicants: TCZ PTE. LTD. [SG/SG]; 1 Temasek Avenue, #27-01 Millenia Tower, Singapore 039192 (SG) (For All Designated States Except US).
TURK, Brandon, A. [US/US]; (US) (For US Only).
KNOWLES, David, S. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: TURK, Brandon, A.; (US).
KNOWLES, David, S.; (US)
Agent: GILLESPIE, Noel, C.; Baker & Mckenzie LLP, 2001 Ross Avenue, Suite 2300, Dallas, TX 75201 (US)
Priority Data:
11/673,980 12.02.2007 US
Title (EN) SYSTEMS AND METHOD FOR OPTIMIZATION OF LAZER BEAM SPATIAL INTENSITY PROFILE
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉ POUR OPTIMISER UN PROFIL D'INTENSITÉ SPATIAL D'UN FAISCEAU LASER
Abstract: front page image
(EN)A thin beam directional crystallization system configured to process a substrate comprises a laser configured to produce laser light, the laser configured to have a high energy mode and a low energy mode. The high energy mode is configured to produce light energy sufficient to completely melt a substrate coated with amorphous silicon film, while the low energy mode is configured to produce light energy that is not sufficient to completely melt a substrate coated with amorphous silicon film. The system further comprises beam shaping optics coupled to the laser and configured to convert the laser light emitted from the laser into a long thin beam with a short axis and a long axis, a stage configured to support the substrate and film, and a translator coupled with the stage, the translator configured to advance the substrate and film so as to produce a step size in conjunction with the firing of the laser.
(FR)Un système de cristallisation directionnelle à faisceau mince configuré pour traiter un substrat comprend un laser configuré pour produire une lumière laser, le laser étant configuré pour avoir un mode d'énergie élevée et un mode d'énergie faible. Le mode d'énergie élevée est configuré de façon à produire une énergie lumineuse suffisante pour faire fondre totalement un substrat revêtu d'un film de silicium amorphe, tandis que le mode d'énergie faible est configuré pour produire de l'énergie lumineuse, qui n'est pas suffisante pour faire fondre totalement un substrat revêtu d'un film de silicium amorphe. Le système comprend en outre un dispositif optique à façonnage de faisceau relié au laser et configuré pour convertir la lumière laser émise dudit laser en un faisceau mince et long avec un axe court et un axe long, une phase configurée pour supporter le substrat et le film, et un translateur relié à la phase, le translateur étant configuré pour faire avancer le substrat et le film, de façon à produire une taille de phase en combinaison avec l'allumage du laser.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)