WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2008100616) ATOMIC LAYER DEPOSITION OF STRONTIUM OXIDE VIA N-PROPYLTETRAMETHYL CYCLOPENTADIENYL PRECURSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/100616    International Application No.:    PCT/US2008/002104
Publication Date: 21.08.2008 International Filing Date: 14.02.2008
IPC:
H01L 29/92 (2006.01)
Applicants: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY [US/US]; 1705 El Camino Real, Palo Alto, CA 94306-1106 (US) (For All Designated States Except US).
HONDA MOTOR CO., LTD [JP/JP]; 1-1 Minamiaoyama 2-chome, Minato-ku, Tokyo, 107-8556 (JP) (For All Designated States Except US).
HOLME, Timothy, P. [US/US]; (US) (For US Only).
PRINZ, Friedrich, B. [AT/US]; (US) (For US Only).
SUGAWARA, Masayuki [JP/US]; (US) (For US Only)
Inventors: HOLME, Timothy, P.; (US).
PRINZ, Friedrich, B.; (US).
SUGAWARA, Masayuki; (US)
Agent: JACOBS, Ron; 2345 Yale Street, 2nd Floor, Palo Alto, CA 94306 (US)
Priority Data:
60/901,741 15.02.2007 US
Title (EN) ATOMIC LAYER DEPOSITION OF STRONTIUM OXIDE VIA N-PROPYLTETRAMETHYL CYCLOPENTADIENYL PRECURSOR
(FR) DÉPÔT D'UNE COUCHE ATOMIQUE D'OXYDE DE STRONTIUM PAR LE BIAIS D'UN PRÉCURSEUR DE N-PROPYLTÉTRAMÉTHYLCYCLOPENTADIÉNYL
Abstract: front page image
(EN)A method of depositing oxide materials on a substrate is provided. A deposition chamber holds the substrate, where the substrate is at a specified temperature, and the chamber has a chamber pressure and wall temperature. A precursor molecule containing a cation material atom is provided to the chamber, where the precursor has a line temperature and a source temperature. An oxidant is provided to the chamber, where the oxidant has a source flow rate. Water is provided to the chamber, where the water has a source temperature. By alternating precursor pulses, the water and the oxidant are integrated with purges of the chamber to provide low contamination levels and high growth rates of oxide material on the substrate, where the pulses and the purge have durations and flow rates. A repeatable growth cycle includes pulsing the precursor, purging the chamber, pulsing the water, pulsing the oxidant, and purging the chamber.
(FR)L'invention concerne un procédé de dépôt de matériaux d'oxyde sur un substrat. Une chambre de dépôt maintient le substrat, le substrat étant à une température spécifiée, et la chambre présentant une pression de chambre et une température de paroi. Une molécule de précurseur contenant un atome de matière cationique est fournie à la chambre, le précurseur ayant une température de ligne et une température de source. Un oxydant est fourni à la chambre, l'oxydant ayant un taux d'écoulement de source. De l'eau est fournie à la chambre, l'eau ayant une température de source. En alternant les impulsions de précurseur, l'eau et l'oxydant sont intégrés à des purges de la chambre pour fournir de bas niveaux de contamination et des taux de croissance élevés du matériau d'oxyde sur le substrat, les impulsions et la purge présentant des durées et des taux d'écoulement. Un cycle de croissance reproductible comprend une impulsion du précurseur, une purge de la chambre, une impulsion de l'eau, une impulsion de l'oxydant, et une purge de la chambre.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)