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Pub. No.:    WO/2008/099949    International Application No.:    PCT/JP2008/052602
Publication Date: 21.08.2008 International Filing Date: 12.02.2008
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/207 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (For All Designated States Except US).
HATA, Masahiko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SAZAWA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NISHIKAWA, Naohiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HATA, Masahiko; (JP).
SAZAWA, Hiroyuki; (JP).
NISHIKAWA, Naohiro; (JP)
Agent: NAKAYAMA, Tohru; c/o Sumitomo Chemical Intellectual Property Service, Limited 5-33, Kitahama 4-chome Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5418550 (JP)
Priority Data:
2007-036626 16.02.2007 JP
(JA) 電界効果トランジスタ用エピタキシャル基板
Abstract: front page image
(EN)Provided is an epitaxial substrate for a field effect transistor. In the epitaxial substrate, a nitride-based group 3-5 semiconductor epitaxial crystal, containing Ga, is arranged between a base substrate and an operation layer, and the nitride-based group 3-5 semiconductor epitaxial crystal contains the following layers (i, ii, iii); (i) a first buffer layer which contains Ga or Al and a high resistance crystal layer added with a compensating impurity element of the same period as Ga on the periodic table and has a small atomic number, (ii) a second buffer layer, which is stacked on the operation layer side of the first buffer layer and contains Ga or Al, and (iii) a high-purity epitaxial crystal layer, which is arranged between the high resistance crystal layer and the operation layer, and has no additive or contains an acceptor impurity of such a small quantity as to maintain the depletion state.
(FR)L'invention propose un substrat épitaxial pour un transistor à effet de champ. Dans le substrat épitaxial, un cristal épitaxial de semi-conducteur à base de nitrure du groupe 3-5, contenant du Ga, est agencé entre un substrat de base et une couche de fonctionnement, et le cristal épitaxial de semi-conducteur à base de nitrure du groupe 3-5 contient les couches suivantes (i, ii, iii) ; (i) une première couche tampon qui contient du Ga ou du Al et une couche cristalline de résistance élevée ajoutée avec un élément d'impureté de compensation de la même période que Ga sur le tableau périodique et présentant un petit nombre atomique, (ii) une seconde couche tampon, qui est empilée sur le côté de couche de fonctionnement de la première couche tampon et qui contient du Ga ou du Al, et (iii) une couche cristalline épitaxiale de pureté élevée, qui est agencée entre la couche cristalline de résistance élevée et la couche de fonctionnement, et qui ne contient aucun additif ou contient une impureté de type accepteur en quantité suffisamment petite pour maintenir l'état d'appauvrissement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)