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1. (WO2008099901) GALLIUM NITRIDE EPITAXIAL CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCTION THEREOF, AND FIELD EFFECT TRANSISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/099901    International Application No.:    PCT/JP2008/052474
Publication Date: 21.08.2008 International Filing Date: 07.02.2008
IPC:
H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (For All Designated States Except US).
NISHIKAWA, Naohiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SAZAWA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HATA, Masahiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NISHIKAWA, Naohiro; (JP).
SAZAWA, Hiroyuki; (JP).
HATA, Masahiko; (JP)
Agent: NAKAYAMA, Tohru; c/o Sumitomo Chemical Intellectual Property Service, Limited, 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5418550 (JP)
Priority Data:
2007-036625 16.02.2007 JP
Title (EN) GALLIUM NITRIDE EPITAXIAL CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCTION THEREOF, AND FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) CRISTAL EPITAXIAL DE NITRURE DE GALLIUM, PROCEDE DE PRODUCTION ASSOCIE ET TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
(JA) ガリウムナイトライド系エピタキシャル結晶、その製造方法および電界効果トランジスタ
Abstract: front page image
(EN)Disclosed are: a gallium nitride epitaxial crystal; a method for producing the gallium nitride epitaxial crystal; and a field effect transistor. The gallium nitride epitaxial crystal comprises a substrate and the following components (a) to (e): (a) a gate layer; (b) a highly pure first buffer layer having a channel layer which is contacted with the interface with a surface of the gate layer facing toward the substrate; (c) a second buffer layer arranged on a surface of the first buffer layer facing toward the substrate; (d) a non-gallium nitride insulating layer which is arranged on a surface of the second buffer layer facing toward the substrate and which has an opening at a part thereof; and (e) a p-type semiconductor crystal layer arranged on a surface of the insulating layer facing toward the substrate. The gallium nitride epitaxial crystal further comprises a connection layer comprising a gallium nitride crystal at the opening of the non-gallium nitride insulating layer for connecting the first buffer layer to the p-type semiconductor crystal layer electrically.
(FR)L'invention concerne : un cristal épitaxial de nitrure de gallium ; un procédé de production de ce cristal ; et un transistor à effet de champ. Le cristal épitaxial de nitrure de gallium comprend un substrat et les composants (a) à (e) suivants : (a) une couche grille ; (b) une première couche tampon haute pureté comportant une couche canal mise en contact par l'interface avec une surface de la couche grille faisant face au substrat ; (c) une deuxième couche tampon disposée sur une surface de la première couche tampon faisant face au substrat ; (d) une couche isolante non-nitrure de gallium disposée sur une surface de la deuxième couche tampon faisant face au substrat et comportant une ouverture au niveau d'une de ses parties ; et (e) une couche de cristal semiconducteur de type p disposée sur une surface de la couche isolante faisant face au substrat. Le cristal épitaxial de nitrure de gallium selon l'invention comprend également une couche de connexion contenant un cristal de nitrure de gallium au niveau de l'ouverture de la couche isolante non-nitrure de gallium destinée à connecter électriquement la première couche tampon à la couche de cristal semiconducteur de type p.
(JA)本発明はガリウムナイトライド系エピタキシャル結晶、その製造方法および電界効果トランジスタを提供する。ガリウムナイトライド系エピタキシャル結晶は、下地基板と、(a)~(e)とを含み、かつ第1の緩衝層とp伝導型半導体結晶層を電気的に接続するため、ガリウムナイトライド系結晶からなる接続層が、非ガリウムナイトライド系の絶縁層の開口部に配されている。(a)ゲート層、(b)ゲート層の下地基板側界面に接するチャネル層を含む高純度な第1の緩衝層、(c)第1の緩衝層の下地基板側に配されている第2の緩衝層、(d)第2の緩衝層の下地基板側に配されており、その一部に開口部を有する非ガリウムナイトライド系の絶縁層、および(e)絶縁層の下地基板側に配されているp伝導型半導体結晶層。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)