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1. (WO2008099843) NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/099843    International Application No.:    PCT/JP2008/052331
Publication Date: 21.08.2008 International Filing Date: 13.02.2008
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (For All Designated States Except US).
OTAKE, Hirotaka [JP/JP]; (JP) (For US Only).
EGAMI, Shin [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OHTA, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OTAKE, Hirotaka; (JP).
EGAMI, Shin; (JP).
OHTA, Hiroaki; (JP)
Agent: INAOKA, Kosaku; c/o AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS, Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor, 6-12 Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5410054 (JP)
Priority Data:
2007-033934 14.02.2007 JP
Title (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 窒化物半導体素子および窒化物半導体素子の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A nitride semiconductor element includes a first layer composed of an n-type III nitride semiconductor; a second layer which is arranged on the first layer and composed of a III nitride semiconductor including a p-type impurity; a third layer which is arranged on the second layer and composed of an n-type III nitride semiconductor; a fourth layer which is formed on a wall surface over the first, the second and the third layers, composed of a III nitride semiconductor having conduction characteristics different from those of the second layer, and is arranged on the second layer; a gate insulating film formed in contact with the fourth layer; a gate electrode formed to face the fourth layer by sandwiching the gate insulating film; and an ohmic electrode formed to be brought into ohmic contact with the second layer.
(FR)L'invention porte sur un élément semi-conducteur au nitrure comportant une première couche composée d'un semi-conducteur de type n au nitrure III; une deuxième couche disposée sur la première couche et composée d'un semi-conducteur au nitrure III à impuretés de type p; une troisième couche disposée sur la deuxième et composée d'un semi-conducteur de type n au nitrure III; et une quatrième couche formée sur une surface de la paroi de la première, de la deuxième et de la troisième couche et composée d'un semi-conducteur au nitrure III et présentant des caractéristiques de conduction différentes de celle de la deuxième couche et disposé sur la deuxième couche; une électrode de grille faisant face à la quatrième couche et entourant le film isolant la grille, et une électrode ohmique en contact ohmique avec la deuxième couche.
(JA) 本発明の窒化物半導体素子は、n型のIII族窒化物半導体からなる第1層と、前記第1層上に設けられたp型不純物を含むIII族窒化物半導体からなる第2層と、前記第2層上に設けられたn型のIII族窒化物半導体からなる第3層と、前記第2層における、前記第1、第2および第3層に跨る壁面に形成された前記第2層とは異なる伝導特性を有するIII族窒化物半導体からなる第4層と、前記第4層に接するように形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を挟んで前記第4層に対向するように形成されたゲート電極と、前記第2層にオーミック接触するように形成されたオーミック電極と、を含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)