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Pub. No.:    WO/2008/099789    International Application No.:    PCT/JP2008/052199
Publication Date: 21.08.2008 International Filing Date: 08.02.2008
H01L 21/683 (2006.01), H02N 13/00 (2006.01)
Applicants: CREATIVE TECHNOLOGY CORPORATION [JP/JP]; Koujimachi YK Bldg 5F, 1-8-14, Koujimachi, Chiyoda-ku, Tokyo 1020083 (JP) (For All Designated States Except US).
MIYASHITA, Kinya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
FUJISAWA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MIYASHITA, Kinya; (JP).
FUJISAWA, Hiroshi; (JP)
Agent: TSUKAHARA, Takakazu; Long Well Kawasaki 202, 22-3 Minami-cho, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi Kanagawa 2100015 (JP)
Priority Data:
2007-034359 15.02.2007 JP
(JA) 静電チャック
Abstract: front page image
(EN)Provided is an electrostatic chuck which prevents abnormal discharge generated in a dielectric layer or substrate and has a structure suitable for reusing. An electrostatic chuck (1) is provided with a substrate (2), a suction electrode (3), and a dielectric layer (4). Ring-like gas channels (21, 22) are arranged on the substrate (2) as recesses. Supporting members (5-1, 5-2) which support an insulator (6) are fitted in the gas channels (21, 22). Inside a long groove (8) formed on the supporting members (5-1 (5-2)) is filled with the insulator (6). The insulator (6) is composed of a porous ceramic, forms a ring-like strip corresponding to the gas channel (21 (22)) as a whole, and the width of the upper surface is set larger than the diameter of a ventilation hole (41) of the dielectric layer (4). A lower opening of the ventilation hole (41) abuts to the upper surface of the insulator (6), and the ventilation hole (41) communicates with the gas channel (21 (22)) through the insulator (6). Preferably, a notch (51a) is arranged on the supporting member (5-1 (5-2)).
(FR)L'invention concerne un mandrin électrostatique qui empêche une décharge anormale générée dans une couche diélectrique ou substrat et qui a une structure appropriée pour être réutilisé. Un mandrin électrostatique (1) comporte un substrat (2), une électrode d'aspiration (3) et une couche diélectrique (4). Des canaux de gaz de type anneau (21, 22) sont disposés sur le substrat (2) sous forme d'évidemments. Des éléments de support (5-1, 5-2) qui supportent un isolant (6) sont ajustés dans les canaux de gaz (21, 22). L'isolant (6) remplit l'intérieur d'une longue rainure (8) formée sur les éléments de support (5-1, 5-2). L'isolant (6) est composé d'une céramique poreuse, forme une bande de type anneau correspondant au canal de gaz (21, 22) dans son entier, et la largeur de la surface supérieure est réglée supérieure au diamètre d'un trou de ventilation (41) de la couche diélectrique (4). Une ouverture inférieure du trou de ventilation (41) vient en butée contre la surface supérieure de l'isolant (6), et le trou de ventilation (41) communique avec le canal de gaz (21, 22) à travers l'isolant (6). De préférence, une encoche (51) A est disposée sur l'élément de support (5-1, 5-2).
(JA) 誘電体層や基板で生じる異常放電を防止することができるだけでなく、再利用に適した構造の静電チャックを提供する。静電チャック(1)は、基板(2)と吸着電極(3)と誘電体層(4)とを備える。基板(2)には、リング状のガス流路(21,22)が凹設されている。絶縁体(6)を支持した支持部材(5−1,5−2)が、これらのガス流路(21,22)内に嵌められている。絶縁体(6)は支持部材(5−1(5−2))に形成された長溝(8)内に充填されている。絶縁体(6)は、多孔質のセラミックスであり、全体としてガス流路(21(22))に対応したリング状の帯体をなし、その上面の幅は誘電体層(4)の通気孔(41)の直径よりも大きく設定されている。通気孔(41)の下部開口が絶縁体(6)の上面に当接し、通気孔(41)が絶縁体(6)を通じてガス流路(21(22))に連通している。好ましくは、切り欠き部(51a)を支持部材(5−1(5−2))に設ける。  
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)