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1. (WO2008099717) METHOD OF RECYCLING SCRAP WAFER AND PROCESS FOR PRODUCING SILICON SUBSTRATE FOR SOLAR CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/099717    International Application No.:    PCT/JP2008/051877
Publication Date: 21.08.2008 International Filing Date: 05.02.2008
IPC:
C01B 33/037 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO [JP/JP]; 10-26, Wakinohama-cho 2-chome, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6518585 (JP) (For All Designated States Except US).
SUZUKI, Tetsuo; (For US Only).
HIRANO, Takayuki; (For US Only).
MIYAZAKI, Jun; (For US Only).
ONISHI, Yoshihiko; (For US Only).
INOUE, Hidetoshi; (For US Only)
Inventors: SUZUKI, Tetsuo; .
HIRANO, Takayuki; .
MIYAZAKI, Jun; .
ONISHI, Yoshihiko; .
INOUE, Hidetoshi;
Agent: ISONO, Michizo; c/o Isono International Patent Office, Sabo Kaikan Annex, 7-4, Hirakawa-cho 2-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1020093 (JP)
Priority Data:
2007-030750 09.02.2007 JP
2008-025251 05.02.2008 JP
Title (EN) METHOD OF RECYCLING SCRAP WAFER AND PROCESS FOR PRODUCING SILICON SUBSTRATE FOR SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE RECYCLAGE DE PLAQUETTES DE SILICIUM MISES AU REBUT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT À BASE DE SILICIUM POUR CELLULES SOLAIRES
(JA) スクラップウエハ再利用方法および太陽電池用シリコン基板の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A method of recycling scrap silicon wafers in which a waste of resources in recycling is diminished and silicon wafers can be formed into a regenerated ingot without being dissolved. The regenerated ingot enables the silicon to be reused in a state akin to the single-crystal state. Also provided is a process for producing a silicon substrate for solar cells. The method of scrap wafer recycling comprises in the following order: a film removal step (S3) in which films formed on scrap wafers (W) are removed; a mirror polishing step (S5) in which the front and back sides of each scrap wafer from which the films have been removed are mirror-polished; an arrangement step (S8) in which the scrap wafers which have been mirror-polished are superposed so as to be uniform in crystallographic direction and are cylindrically arranged; and a heating step (S9) in which the scrap wafers arranged cylindrically are placed in a heating oven and heated at a temperature in the range of 400-1,350°C to thereby bond the scrap wafers to each other by diffusion to thereby produce a regenerated ingot (IG).
(FR)La présente invention concerne un procédé de recyclage de plaquettes de silicium mises au rebut dans lequel le gaspillage des ressources au cours du recyclage est réduit et dans lequel les plaquettes de silicium peuvent être transformées en un lingot régénéré sans être dissoutes. Le lingot régénéré permet de réutiliser le silicium dans un état analogue à l'état monocristallin. La présente invention concerne également un procédé de production d'un substrat à base de silicium pour cellules solaires. Le procédé de recyclage des plaquettes de silicium mises au rebut comprend les étapes suivantes, dans l'ordre indiqué ci-dessous : une étape consistant à éliminer le film (S3) au cours de laquelle les films formés sur les plaquettes de silicium mises au rebut (W) sont éliminés ; une étape de polissage à reflets (S5) au cours de laquelle la face avant et la face arrière de chaque plaquette de silicium mise au rebut dont les films ont été retirés sont soumises à un polissage à reflets ; une étape de mise en place (S8) au cours de laquelle les plaquettes de silicium mises au rebut et ayant subi un polissage à reflets sont superposées de façon à toutes être orientées dans le même sens cristallographiquement parlant et sont disposées de façon à former un cylindre ; et une étape de chauffage (S9) au cours de laquelle les plaquettes de silicium mises au rebut et disposées de façon à former un cylindre sont placées dans un four et chauffées à une température se situant dans une fourchette de 400 à 1 350 °C de façon à souder les plaquettes de silicium mises au rebut les unes aux autres par diffusion et à produire de la sorte un lingot régénéré (IG).
(JA) 再利用する際に資源の無駄を少なくし、シリコンウエハを溶解することなく再生インゴットにすることで、単結晶に近い状態で再利用できるスクラップウエハ再利用方法および太陽電池用シリコン基板の製造方法を提供することを課題とする。  スクラップウエハ再利用方法は、スクラップウエハWに形成された膜を除去する膜除去工程S3と、スクラップウエハの膜を除去した表裏面を鏡面に研磨する鏡面研磨工程S5と、鏡面に研磨されたスクラップウエハの結晶方位を揃えて重ね合わせ、円柱状に整列させる整列工程S8と、円柱状に整列させた前記スクラップウエハを加熱炉に入れて400°C~1350°Cの範囲で加熱することで前記スクラップウエハ同士を拡散接合させ再生インゴットIGを製造する加熱工程S9と、を含む手順とした。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)