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1. (WO2008099702) ELECTROWETTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/099702    International Application No.:    PCT/JP2008/051774
Publication Date: 21.08.2008 International Filing Date: 04.02.2008
IPC:
G02B 1/06 (2006.01), G02B 3/14 (2006.01), G02B 26/08 (2006.01)
Applicants: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1 Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP) (For All Designated States Except US).
KIRITA, Shina [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KAWASHIMA, Toshitaka [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KIRITA, Shina; (JP).
KAWASHIMA, Toshitaka; (JP)
Agent: IWASAKI, Sachikuni; c/o Miyoshi International Patent Office, Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2007-031442 13.02.2007 JP
Title (EN) ELECTROWETTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF D'ÉLECTROMOUILLAGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) エレクトロウェッティングデバイス及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)An electrowetting device (10) ensures a highly reliable insulating structure by preventing deterioration of withstand voltage characteristics due to use of a film having a high dielectric constant. The electrowetting device is provided with a conductive first liquid (11); an insulating second liquid (12); a transparent substrate (14) and a cover (15) which form a liquid chamber (18) for storing the first and second liquids; an electrode layer (16) formed on a surface of the transparent substrate (14) on the side of the liquid chamber (18); and an insulating layer (17) formed on the surface of the electrode layer. The insulating layer (17) has a laminated structure composed of a first insulating film (17a) made of an insulating inorganic crystal material, and a second insulating film (17b) made of an insulating inorganic amorphous material. Surface unevenness of the first insulating film (17a) is modified by the second insulating film (17b), and the highly reliable insulating layer which can be driven by a low voltage and has excellent withstand voltage strength is provided.
(FR)L'invention concerne un dispositif d'électromouillage (10) qui assure une structure d'isolation extrêmement fiable en empêchant la détérioration de caractéristiques de tension de tenue due à l'utilisation d'un film ayant une constante diélectrique élevée. Le dispositif d'électromouillage comporte un premier liquide conducteur (11) ; un second liquide isolant (12) ; un substrat transparent (14) et un couvercle (15) qui forment une chambre de liquide (18) pour stocker les premier et second liquides ; une couche d'électrode (16) formée sur une surface du substrat transparent (14) sur le côté de la chambre de liquide (18) ; et une couche isolante (17) formée sur la surface de la couche d'électrode. La couche isolante (17) a une structure stratifiée composée d'un premier film isolant (17a) composé d'un matériau cristallin inorganique isolant et d'un second film isolant (17b)composé d'un matériau amorphe inorganique isolant. Une irrégularité de surface du premier film isolant (17a) est modifiée par le second film isolant (17b) et la couche isolante extrêmement fiable, qui peut être entraînée par une tension faible et qui présente une excellente résistance à la tension de tenue, est fournie.
(JA) 本発明に係るエレクトロウェッティングデバイス(10)は、高誘電率膜を用いることによる耐圧特性の劣化を防止して信頼性の高い絶縁構造を確保できるものであり、導電性の第1の液体(11)と、絶縁性の第2の液体(12)と、上記第1,第2の液体を収容する液室(18)を形成する透明基板(14)及び蓋体(15)と、透明基板(14)の液室(18)側の表面に形成された電極層(16)と、この電極層の表面に形成された絶縁層(17)とを備え、この絶縁層(17)は、絶縁性無機結晶材料からなる第1の絶縁膜(17a)と、絶縁性無機非晶質材料からなる第2の絶縁膜(17b)の積層構造とすることで、第1の絶縁膜(17a)の表面凹凸を第2の絶縁膜(17b)で緩和し、低電圧駆動が可能であり、耐圧強度に優れた信頼性の高い絶縁層を得ることができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)