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1. (WO2008099520) SOLID-STATE IMAGING DEVICE, ITS DRIVE METHOD, AND IMAGING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/099520    International Application No.:    PCT/JP2007/062980
Publication Date: 21.08.2008 International Filing Date: 28.06.2007
IPC:
H04N 5/335 (2011.01), H04N 5/365 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
MUROSHIMA, Takahiro; (For US Only).
ENDOH, Yasuyuki; (For US Only)
Inventors: MUROSHIMA, Takahiro; .
ENDOH, Yasuyuki;
Agent: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg., 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Priority Data:
2007-031673 13.02.2007 JP
Title (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE, ITS DRIVE METHOD, AND IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF IMAGEUR À SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE COMMANDE ET DISPOSITIF IMAGEUR
(JA) 固体撮像装置およびその駆動方法、撮像装置
Abstract: front page image
(EN)A solid-state imaging device includes: a plurality of pixels, each having a photo diode, a floating diffusion, a transfer transistor, a reset transistor, and an amplification transistor; a vertical signal line (31) for receiving signals from the plurality of pixels; a circuit (78) for comparing a sampling capacity (62) and voltage of the vertical signal line (31) to a reverence voltage so as to judge the voltage value; and a clip circuit (79) for outputting a clip voltage Vclip to the sampling capacity (62) by using output of the circuit (78). The voltage of the vertical signal line in the state that signals accumulated in the photo diode are transferred to the floating diffusion as a comparison voltage for each of columns.
(FR)Dispositif imageur à semi-conducteur comprenant une pluralité de pixels qui comporteT chacun une photodiode, une zone de diffusion flottante, un transistor de transfert, un transistor de réarmement et un transistor d'amplification, une ligne de signal verticale (32) recevant des signaux de la pluralité de pixels; un circuit (78) permettant de comparer la capacité d'échantillonnage (62) et la tension de la ligne de signal verticale (31) à une tension de référence dans le but d'estimer la valeur de la tension, et un circuit d'écrétage (79) envoyant une tension d'écrétage à la capacité d'échantillonnage (62) via une sortie du circuit (78). La tension de la ligne de signal verticale se trouve dans un état où les signaux accumulés dans la photodiode sont transférés à la diffusion flottante en tant que tension de comparaison pour chacune des colonnes.
(JA) フォトダイオードと、フローティングディフュージョンと、転送トランジスタと、リセットトランジスタと、増幅トランジスタとを有する複数の画素と、複数の画素からの信号を受ける垂直信号線31と、サンプリング容量62と、垂直信号線31の電圧を参照電圧と比較し、電圧の大小を判定する回路78と、回路78の出力を用いてサンプリング容量62にクリップ電圧Vclipを出力するクリップ回路79とを備えている。フォトダイオードに蓄積した信号がフローティングディフュージョンに転送された状態での垂直信号線の電圧を各列ごとの比較電圧として用いることができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)