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1. (WO2008099317) ESD-PROTECTION DEVICE, A SEMICONDUCTOR DEVICE AND AN INTEGRATED SYSTEM IN A PACKAGE COMPRISING SUCH A DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/099317    International Application No.:    PCT/IB2008/050464
Publication Date: 21.08.2008 International Filing Date: 08.02.2008
IPC:
H01L 27/02 (2006.01)
Applicants: NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL) (For All Designated States Except US).
SAVIN, Emmanuel [FR/FR]; (NL) (For US Only).
BOUVIER, Stephane [FR/FR]; (NL) (For US Only)
Inventors: SAVIN, Emmanuel; (NL).
BOUVIER, Stephane; (NL)
Agent: VAN DER VEER, Johan, L.; c/o NXP Semiconductors, IP Department, HTC 60 1.31 Prof Holstlaan 4, NL-5656 AG Eindhoven (NL)
Priority Data:
07290175.4 12.02.2007 EP
Title (EN) ESD-PROTECTION DEVICE, A SEMICONDUCTOR DEVICE AND AN INTEGRATED SYSTEM IN A PACKAGE COMPRISING SUCH A DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SYSTÈME INTÉGRÉ DANS UN BOÎTIER COMPORTANT UN TEL DISPOSITIF
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to an ESD protection device comprising: a first contact (10) and a second contact (20), and an electrical node (12); a bipolar transistor (6) having a base, an emitter, and a collector, the base and emitter forming a base-emitter junction, the base and collector forming a base-collector junction, the emitter being connected to the first contact (10), the collector being connected to the second contact (20), the base being connect to the electrical node (12); a first diode (1) connected between the electrical node (12) and the first contact (10), the first diode (1) comprising a first junction arranged in the same direction as the base-emitter junction, and - a second diode (2) connected between the electrical node (12) and the second contact (20), in anti-series with the first diode (1) on a path from the first contact (10) to the second contact (20), the second diode (2) comprising a second junction arranged in the same direction as the base-collector junction, wherein the bipolar transistor (6) is dimensioned to have such a current gain (β) that the voltage-current characteristic of the ESD protection device, measured between the first (10) and second contact (20), exhibits a voltage snap-back effect (SNP) at its trigger voltage (Vtrig). The voltage snap-back effect (SNP) results in a lower clamping voltage of the ESD protection device. The invention further relates a semiconductor device and an integrated system in a package comprising said ESD protection device.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de protection contre les décharges électrostatiques (ESD) qui comporte : un premier contact (10) et un second contact (20), et un nœud électrique (12) ; un transistor bipolaire (6) ayant une base, un émetteur et un collecteur, la base et l'émetteur formant une jonction base-émetteur, la base et le collecteur formant une jonction base-collecteur, l'émetteur étant connecté au premier contact (10), le collecteur étant connecté au second contact (20), la base étant connectée au nœud électrique (12) ; une première diode (1) connectée entre le nœud électrique (12) et le premier contact (10), la première diode (1) comportant une première jonction disposée dans la même direction que la jonction base-émetteur, et une seconde diode (2) connectée entre le nœud électrique (12) et le second contact (20), non en série avec la première diode (1) sur un trajet du premier contact (10) au second contact (20), la seconde diode (2) comportant une seconde jonction disposée dans la même direction que la jonction base-collecteur, le transistor bipolaire (6) étant dimensionné pour avoir un gain de courant (β) tel que la caractéristique tension-courant du dispositif de protection contre les décharges électrostatiques, mesurée entre les premier (10) et second (20) contacts, présente un effet de recouvrement brusque de tension (SNP) à sa tension de déclenchement (Vtrig). L'effet de recouvrement brusque de tension (SNP) conduit à une tension de blocage inférieur du dispositif de protection contre les décharges électrostatiques. L'invention concerne en outre un dispositif semi-conducteur et un système intégré dans un boîtier comportant ledit dispositif de protection contre les décharges électrostatiques.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)