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1. (WO2008099229) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/099229    International Application No.:    PCT/IB2007/001529
Publication Date: 21.08.2008 International Filing Date: 14.02.2007
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01)
Applicants: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US) (For All Designated States Except US).
STEFANOV, Evgueniy [FR/FR]; (FR) (For US Only).
REYNES, Jean-Michel [FR/FR]; (FR) (For US Only).
WEBER, Yann [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: STEFANOV, Evgueniy; (FR).
REYNES, Jean-Michel; (FR).
WEBER, Yann; (FR)
Agent: FERRO, Frodo, Nunes; Freescale Semiconductor Inc, c/o Impetus IP Ltd, Grove House-Lutyens Close-Chineham Court, Basingstoke RG24 8AG (GB)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)Semiconductor device comprising a semiconductor layer (6, 7, 8) of a first conductivity type, a body region (14) of a second conductivity type extending from a first surface (16) of the semiconductor layer (6, 7, 8) and a current electrode region (18) of the first conductivity type formed in the body region (14). At least two first floating regions (10) of the second conductivity type are formed below the body region (14) and at least two second floating regions (10) of the second conductivity type are formed below the at least two first floating regions (10). The at least two first and second floating regions (10) are separated laterally by regions (12) of the first conductivity type having a doping concentration greater than the doping concentration of the semiconductor layer. A first floating region (10) is separated from the body region (14) by a distance (3) which is selected such that the gain of a parasitic transistor device between the body region (14) and the first floating region (10) is maximised.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant une couche semiconductrice (6, 7, 8) d'un premier type de conductivité, une région de corps (14) d'une seconde type de conductivité s'étendant d'une première surface (16) de la couche semiconductrice (6, 7, 8) et une région d'électrode de courant (18) du premier type de conductivité formé dans la région de corps (14). Au moins deux premières régions flottantes (10) du second type de conductivité sont formées sous la région de corps (14) et au moins deux secondes régions flottantes (10) du second type de conductivité sont formées sous les deux premières régions flottantes (10). Les deux première et seconde régions flottantes (10) sont séparées latéralement par les régions (12) du premier type de conductivité ayant une concentration de dopage supérieure à la concentration de dopage de la couche semiconductrice. Une première région flottante (10) est séparée de la région du corps (14) d'une distance (3) choisie de sorte que le gain d'un dispositif à transistor parasite entre la région de corps (14) et la première région flottante (10) est optimisé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)