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1. (WO2008098404) METHOD FOR MANUFACTURING A SINGLE-CRYSTAL FILM, AND INTEGRATED OPTICAL DEVICE COMPRISING SUCH A SINGLE-CRYSTAL FILM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/098404    International Application No.:    PCT/CH2008/000065
Publication Date: 21.08.2008 International Filing Date: 14.02.2008
IPC:
H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: ETH Zürich [CH/CH]; Raemistrasse 101/ETH transfer, CH-8092 Zürich (CH) (For All Designated States Except US).
POBERAJ, Gorazd [SI/CH]; (CH) (For US Only).
GUARINO, Andrea [CH/CH]; (CH) (For US Only).
GÜNTER, Peter [CH/CH]; (CH) (For US Only)
Inventors: POBERAJ, Gorazd; (CH).
GUARINO, Andrea; (CH).
GÜNTER, Peter; (CH)
Priority Data:
60/901,812 16.02.2007 US
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING A SINGLE-CRYSTAL FILM, AND INTEGRATED OPTICAL DEVICE COMPRISING SUCH A SINGLE-CRYSTAL FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN FILM MONOCRISTALLIN, ET DISPOSITIF OPTIQUE INTÉGRÉ INCORPORANT UN TEL FILM MONOCRISTALLIN
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a method for manufacturing a single-crystal film, e.g. a metal oxide or organic crystal film, based on the known ion slicing technology. In a first step, ions are implanted into a donor crystal structure to form a damage layer within the crystal structure at an implantation depth below a top surface of the crystal structure, the top surface and said damage layer defining at least in part the single- crystal film to be detached from the crystal structure. Thereafter, the crystal structure is indirectly bonded to a substrate by a bonding layer between the crystal structure and the substrate, this bonding layer comprising a polymer adhesive. After curing the polymer, the laminate is exposed to a temperature increase to effect detachment of the single-crystal film from the crystal structure. The invention has the advantage of less stringent requirements for surface smoothness and flatness. Therefore, it enables a very reproducible fabrication of high-quality and large area thin films, e.g. of a metal oxide (e.g. ferroelectric) or organic crystal.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un film monocristallin, notamment d'un film d'oxyde métallique ou d'un film de cristal organique, reposant sur la technique connue de découpage ionique. Le procédé comprend une première étape consistant à implanter des ions dans une structure cristalline donneuse pour former une couche d'endommagement au sein de la structure cristalline à une profondeur d'implantation sous une surface supérieure de la structure cristalline, la surface supérieure et ladite couche d'endommagement formant au moins en partie le film monocristallin appelé à être détaché de la structure cristalline. Le procédé comprend une autre étape consistant à assurer l'adhésion indirecte de la structure cristalline à un substrat par le biais d'une couche d'adhésion située entre la structure cristalline et le substrat, ladite couche d'adhésion comprenant un adhésif polymère. Le procédé comprend une étape supplémentaire consistant, suite au durcissement de l'adhésif polymère, à soumettre la structure stratifiée ainsi obtenue à une augmentation de température en vue de détacher le film monocristallin de la structure cristalline. L'invention permet avantageusement d'assouplir les exigences strictes en matière d'homogénéité et de planéité de surface et de fabriquer ainsi de façon hautement reproductible des films minces étendus de haute qualité, notamment des films d'oxyde métallique (par ex. ferroélectriques) ou de cristal organique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)