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1. (WO2008097278) ETCH-ENHANCED TECHNIQUE FOR LIFT-OFF PATTERNING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/097278    International Application No.:    PCT/US2007/020234
Publication Date: 14.08.2008 International Filing Date: 18.09.2007
IPC:
H01L 21/44 (2006.01)
Applicants: MOLECULAR IMPRINTS, INC. [US/US]; 1807 West Braker Ln, Bldg. C-100, Austin, TX 78758-3605 (US) (For All Designated States Except US)
Inventors: SCHMID, Gerard; (US).
RESNICK, Douglas, J.;
Agent: CARTER, Michael, D.; P. O. Box 81536, Austin, TX 78708-1536 (US)
Priority Data:
60/826,124 19.09.2006 US
60/826,762 25.09.2006 US
Title (EN) ETCH-ENHANCED TECHNIQUE FOR LIFT-OFF PATTERNING
(FR) TECHNIQUE AMÉLIORÉE EN ATTAQUE POUR LA FORMATION DE MOTIF PAR ARRACHEMENT
Abstract: front page image
(EN)An enhanced process forming a material pattern on a substrate deposits the material anisotropically on resist material patterned to correspond to an image of the material pattern. The material is etched isotropically to remove a thickness of the material on sidewalls of the resist pattern while leaving the material on a top surface of the resist pattern and portions of the surface of the substrate. The resist pattern is removed by dissolution thereby lifting-off the material on the top surface of the resist pattern while leaving the material on the substrate surface as the material pattern. Alternately, a first material layer is deposited on the resist pattern and a second material layer is deposited and planarized. The second material layer is etched exposing the first material while leaving the second material in features of the resist pattern. The first material and the resist are removed leaving the first material pattern.
(FR)Procédé amélioré de formation de motif de matériau sur un substrat consistant à déposer le matériau en mode anisotrope sur un matériau de résist formé pour correspondre à une image du motif de matériau. On attaque le matériau en mode anisotrope pour éliminer une épaisseur de matériau sur les parois latérales du motif de résist, en laissant le matériau sur une surface supérieure de ce matériau de résist et des parties de la surface du substrat. Le matériau de résist est éliminé par dissolution, ce qui permet d'arracher le matériau sur la surface supérieure du motif de résist en laissant le matériau sur la surface du substrat comme motif de matériau. Une autre solution consiste à déposer une première couche de matériau sur le motif de résist et à déposer une seconde couche de matériau puis à la planariser. Cette seconde couche est attaquée, ce qui expose le premier matériau en laissant le second matériau dans des éléments du motif de résist. On élimine le premier matériau et le résist en laissant le premier motif de matériau.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)