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1. (WO2008096802) NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/096802    International Application No.:    PCT/JP2008/051999
Publication Date: 14.08.2008 International Filing Date: 31.01.2008
IPC:
H01L 27/115 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01)
Applicants: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058001 (JP) (For All Designated States Except US).
KIDOH, Masaru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TANAKA, Hiroyasu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KITO, Masaru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KATSUMATA, Ryota [JP/JP]; (JP) (For US Only).
AOCHI, Hideaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SATO, Mitsuru [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KIDOH, Masaru; (JP).
TANAKA, Hiroyasu; (JP).
KITO, Masaru; (JP).
KATSUMATA, Ryota; (JP).
AOCHI, Hideaki; (JP).
SATO, Mitsuru; (JP)
Agent: ITAMI, Masaru; Murata Bldg., Suite 4A, 2-5, Kanda-Surugadai, Chiyoda-ku, Tokyo 101-0062 (JP)
Priority Data:
2007-026168 05.02.2007 JP
Title (EN) NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ D'ÉLABORATION
Abstract: front page image
(EN)A non-volatile semiconductor memory device according to the present invention includes a substrate; a first word-line provided above the substrate surface, the first word-line having a plate shape in an area where a memory cell is formed; a second word-line provided above the first word-line surface, the second word-line having a plate shape; a plurality of metal wirings connecting the first and second word-lines with a driver circuit; and a plurality of contacts connecting the first and second word-lines with the metal wirings. The contact of the first word-line is formed in a first word-line contact area. The contact of the second word-line is formed in a second word-line contact area. The first word-line contact area is provided on a surface of the first word-line that is drawn to the second word-line contact area.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de mémoire non volatile à semi-conducteur comportant: un substrat; une première ligne de mots disposée au-dessus de la surface de substrat, la première ligne de mots ayant une forme de plaque dans la zone où est formée la cellule de mémoire; une deuxième ligne de mots disposée au-dessus de la première surface de ligne de mots, et ayant une forme de plaque; une pluralité conducteurs métalliques connectant la première et la deuxièmes ligne de mots à un circuit pilote; et plusieurs contacts reliant la première et la deuxième ligne de mots aux conducteurs métalliques. Le contact de la première ligne de mots est formé dans la zone de contact de la première ligne de mots. Le contact de la deuxième ligne de mots est formé dans la zone de contact de la deuxième ligne de mots. La zone de contact de la première ligne de mots se trouve sur une surface de la première ligne de mots tirée vers la zone de contact de la deuxième ligne de mots.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)