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1. (WO2008096709) SEMICONDUCTOR SWITCH AND POWER CONVERTER TO WHICH THE SEMICONDUCTOR SWITCH IS APPLIED
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/096709    International Application No.:    PCT/JP2008/051770
Publication Date: 14.08.2008 International Filing Date: 04.02.2008
IPC:
H02M 1/08 (2006.01), H02M 7/5387 (2007.01)
Applicants: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-Chome, Minato-Ku, Tokyo 1058001 (JP) (For All Designated States Except US).
MOCHIKAWA, Hiroshi; (For US Only).
KOYAMA, Tateo; (For US Only).
KUZUMAKI, Atsuhiko; (For US Only).
TSUDA, Junichi; (For US Only)
Inventors: MOCHIKAWA, Hiroshi; .
KOYAMA, Tateo; .
KUZUMAKI, Atsuhiko; .
TSUDA, Junichi;
Agent: HATANO, Hisashi; TOKYO INTERNATIONAL PATENT FIRM, 2nd Floor, Miyata Building, 17-16, Nishi-Shimbashi 1-Chome, Minato-Ku, Tokyo 1050003 (JP)
Priority Data:
2007-026751 06.02.2007 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR SWITCH AND POWER CONVERTER TO WHICH THE SEMICONDUCTOR SWITCH IS APPLIED
(FR) COMMUTATEUR SEMI-CONDUCTEUR ET CONVERTISSEUR DE PUISSANCE AUQUEL LE COMMUTATEUR SEMI-CONDUCTEUR EST APPLIQUÉ
(JA) 半導体スイッチおよびその半導体スイッチを適用した電力変換装置
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor switch is provided with a main element, which has a reverse conductive characteristic and is a voltage-driven switching element having a high withstand voltage; an auxiliary element, which is a voltage-driven switching element having a withstand voltage lower than that of the main element; and a high-speed free wheeling diode having a withstand voltage equivalent to that of the main element. The negative electrode of the main element and the negative electrode of the auxiliary element are connected to have the positive electrode of the main element as a positive electrode terminal, and the positive electrode of the auxiliary element as a negative electrode terminal. The high speed free wheeling diode is connected in parallel between the positive electrode terminal and the negative electrode terminal, so that a direction from the negative electrode terminal to the positive electrode terminal is a forward direction.
(FR)L'invention concerne un commutateur semi-conducteur qui comporte un élément principal, qui a une caractéristique de conduction inverse et qui a un élément de commutation commandé par tension ayant une tension de tenue élevée, un élément auxiliaire, qui est un élément de commutation commandé par tension ayant une tension de tenue inférieure à celle de l'élément principal ; et une diode libre haute fréquence ayant une tension de tenue équivalente à celle de l'élément principal. L'électrode négative de l'élément principal et l'électrode négative de l'élément auxiliaire sont connectées pour avoir l'électrode positive de l'élément principal en tant que borne d'électrode positive, et l'électrode positive de l'élément auxiliaire en tant que borne de l'électrode négative. La diode libre haute fréquence est connectée en parallèle entre la borne d'électrode positive et la borne d'électrode négative, de telle sorte qu'une direction de la borne d'électrode négative à la borne d'électrode positive est une direction directe.
(JA)半導体スイッチは、逆導通性能を有し高耐圧な電圧駆動型スイッチング素子である主素子と、主素子に比べ耐圧が低い電圧駆動型スイッチング素子である補助素子と、主素子と同等の耐圧を有する高速還流ダイオードとを備え、主素子の負極と補助素子の負極とを接続して主素子の正極を正極端子とし、補助素子の正極を負極端子とし、正極端子と負極端子との間に負極端子から正極端子に向かう方向が順方向となるように高速還流ダイオードを並列接続して構成したことを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)