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1. (WO2008096364) METHOD AND SYSTEM FOR MEASURNG IN PATTERNED STRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/096364    International Application No.:    PCT/IL2008/000172
Publication Date: 14.08.2008 International Filing Date: 07.02.2008
IPC:
G03F 7/20 (2006.01)
Applicants: NOVA MEASURING INSTRUMENT LTD. [IL/IL]; Weizmann Science Park, Bldg. 22, 76100 Rehovot (IL) (For All Designated States Except US).
COHEN, Yoel [IL/IL]; (IL) (For US Only)
Inventors: COHEN, Yoel; (IL)
Agent: KORSHUNOV, Oleg; Weizmann Science Park, Bldg. 22, 76100 Rehovot (IL)
Priority Data:
181209 07.02.2007 IL
Title (EN) METHOD AND SYSTEM FOR MEASURNG IN PATTERNED STRUCTURES
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE MESURE DANS DES STRUCTURES DE FORMATION DE SCHÉMA
Abstract: front page image
(EN)A sample having a patterned area and a method for use in controlling a pattern parameter is presented. The sample comprises at least one test structure having a patterned region similar to a pattern in the patterned area, the patterns in the patterned area and in the at least test structure being produced by the same patterning process. The at least one test structure comprises at least one pattern parameter of a predetermined value intentionally increased above a natural value of said certain parameter induced by a patterning process. By this, the natural value of the parameter induced by the patterning process can be determined.
(FR)L'invention concerne un échantillon présentant une zone de schéma et un procédé d'utilisation dans la commande d'un paramètre de schéma. L'échantillon comprend au moins une structure test comprenant une région de schéma similaire à un schéma dans la zone de schéma. Les schémas dans la zone de schéma et dans la ou les structures tests sont produits par le même processus de formation de schéma. La ou les structures tests comprennent au moins un paramètre de schéma d'une valeur prédéterminée augmentée de manière intentionnelle au-dessus d'une valeur naturelle dudit certain paramètre induit par un processus de formation de schéma. Grâce à cela, la valeur naturelle du paramètre induit par le processus de formation de schéma peut être déterminée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)