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1. (WO2008094792) NOVEL AIR GAP INTEGRATION SCHEME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/094792    International Application No.:    PCT/US2008/051731
Publication Date: 07.08.2008 International Filing Date: 22.01.2008
IPC:
H01L 23/482 (2006.01), H01L 21/469 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US).
DEMOS, Alexandros T. [US/US]; (US) (For US Only).
XIA, Li-Qun [US/US]; (US) (For US Only).
KIM, Bok Hoen [US/US]; (US) (For US Only).
WITTY, Derek R. [US/US]; (US) (For US Only).
M'SAAD, Hichem [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: DEMOS, Alexandros T.; (US).
XIA, Li-Qun; (US).
KIM, Bok Hoen; (US).
WITTY, Derek R.; (US).
M'SAAD, Hichem; (US)
Agent: PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, L.L.P., 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500, Houston, Texas 77056-6582 (US)
Priority Data:
60/887,079 29.01.2007 US
Title (EN) NOVEL AIR GAP INTEGRATION SCHEME
(FR) NOUVEAU SCHÉMA D'INTÉGRATION D'ENTREFER
Abstract: front page image
(EN)Methods are provided for forming a structure that includes an air gap In one embodiment, a method is provided for forming a damascene structure compnses depositing a porous low dielectric constant layer by a method including reacting an organosilicon compound and a porogen-providing precursor, depositing a porogen-containing material, and removing at least a portion of the porogen -containing matenal, depositing an organic layer on the porous low dielectric constant layer by reacting the porogen-providing precursor, forming a feature defintion in the organic and dielectric constant layer, filling the feature definition with a conductive material, depositing a mask layer on the organic layer, forming apertures in the mask layer to expose the organic layer, removing a portion or all of the organic layer through the apertures, and forming an air gap adjacent the conductive matenal.
(FR)L'invention concerne des procédés de formation d'une structure qui comprend un entrefer. Dans un mode de réalisation, on propose un procédé de formation d'une structure de damasquinage qui comprend le dépôt d'une couche poreuse à faible constante diélectrique par un procédé comprenant la réaction d'un composé organosilicium et d'un précurseur donnant le porogène, le dépôt d'un matériau contenant du porogène, et l'élimination d'au moins une partie du matériau contenant du porogène, le dépôt d'une couche organique sur la couche poreuse à faible constante diélectrique par réaction du précurseur donnant le porogène, la formation d'une définition caractéristique sur la couche organique et la couche poreuse à faible constante diélectrique, le classement de la définition caractéristique avec un matériau conducteur à l'intérieur, le dépôt d'une couche de masque sur la couche organique et le matériau conducteur disposé dans la définition de particularité, la formation d'ouvertures dans la couche de masque pour exposer la couche organique, l'élimination d'une partie ou de la totalité de la couche organique à travers les ouvertures, et la formation d'un entrefer adjacent au matériau conducteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)