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1. (WO2008094746) SUB-LITHOGRAPHIC INTERCONNECT PATTERNING USING SELF-ASSEMBLING POLYMERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/094746    International Application No.:    PCT/US2008/050973
Publication Date: 07.08.2008 International Filing Date: 14.01.2008
IPC:
G03C 5/00 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US) (For All Designated States Except US).
LI, Wai-Kin [--/US]; (US) (For US Only).
YANG, Haining, S. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: LI, Wai-Kin; (US).
YANG, Haining, S.; (US)
Agent: LI, Wenjie; International Business Machines, Corporation, 2070 Route 52 M/D 482, Hopewell Junction, NY 12533 (US)
Priority Data:
11/627,488 26.01.2007 US
Title (EN) SUB-LITHOGRAPHIC INTERCONNECT PATTERNING USING SELF-ASSEMBLING POLYMERS
(FR) PLACEMENT DE MOTIFS D'INTERCONNEXION SUB-LITHOGRAPHIQUES EN UTILISANT DES POLYMÈRES AUTO-ASSEMBLÉS
Abstract: front page image
(EN)The present invention is directed to the formation of sublithographic features in a semi conduct or structure using self-assembling polymers The self-assembling polymers are formed in openings in a hard mask, annealed and then etched, followed by etching of the underlying dielectric material. At least one subiithograpliic feature is formed according to this method. Abo disclosed is an intermediate semiconductor structure in which at least one interconnect wiring feature has a dimension that is defined by a self-assembled block copolymer.
(FR)La présente invention concerne la formation de caractéristiques sub-lithographiques dans un semi-conducteur ou une structure en utilisant des polymères auto-assemblés. Les polymères auto-assemblés sont formés dans des ouvertures dans un masque dur, recuits puis soumis à une attaque chimique, puis à l'attaque du matériau diélectrique sous-jacent. Au moins une caractéristique sublithographique est formée selon ce procédé. L'invention concerne également une structure semi-conductrice intermédiaire, au moins une caractéristique de câblage d'interconnexion ayant une dimension qui est définie par un copolymère en bloc auto-assemblé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)