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1. (WO2008093699) MAGNETIC SENSOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/093699    International Application No.:    PCT/JP2008/051354
Publication Date: 07.08.2008 International Filing Date: 30.01.2008
IPC:
G01R 33/09 (2006.01), H01L 27/22 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01), H01L 43/12 (2006.01)
Applicants: ALPS ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-7, Yukigaya-Otsuka-cho, Ota-ku, Tokyo 1458501 (JP) (For All Designated States Except US).
SUGIHARA, Shinji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ANDO, Hideto [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SASAKI, Shinichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SUGIHARA, Shinji; (JP).
ANDO, Hideto; (JP).
SASAKI, Shinichi; (JP)
Agent: NOZAKI, Teruo; Oak Ikebukuro Building 3F, 1-21-11 Higashi-Ikebukuro, Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
Priority Data:
2007-023853 02.02.2007 JP
Title (EN) MAGNETIC SENSOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) DÉTECTEUR MAGNÉTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 磁気検出装置及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a magnetic sensor such that the TCR difference between first and second magnetoresistance effect elements having interlayer coupling magnetisms Hin of positive- and negative signs is small and a fixed resistive element connected in series to the magnetoresistance effect elements can be fabricated in the same production process [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A first magnetoresistance effect element (23) and a second magnetoresistance effect element (27) have the same film structure except for the thicknesses of nonmagnetic conductive layers (61, 64). The nonmagnetic conductive layers (61, 64) of the first and second magnetoresistance effect elements (23, 27) have different film thicknesses. The first magnetoresistance effect element (23) has a positive first interlayer coupling magnetic field Hin1, and the second magnetoresistance effect element (27) has a negative second interlayer coupling magnetic field Hin2. A first fixed resistive element (24) and a second fixed resistive element (28) have the same film structure.
(FR)L'invention vise à proposer un détecteur magnétique de telle sorte que la différence de TCR entre le premier et le second élément à effet de magnétorésistance présentant des magnétismes de couplage intercouche Hin de signes positif et négatif soit faible et qu'un élément résistif fixe connecté en série aux éléments à effet de magnétorésistance puisse être fabriqué au cours du même procédé de fabrication. À cet effet, un premier élément à effet de magnétorésistance (23) et un second élément à effet de magnétorésistance (27) ont la même structure en film, à l'exception des épaisseurs de couches conductrices non magnétiques (61, 64). Les couches conductrices non magnétiques (61, 64) du premier et du second élément à effet de magnétorésistance (23, 27) ont des épaisseurs de film différentes. Le premier élément à effet de magnétorésistance (23) est doté d'un premier champ magnétique de couplage intercouche positif Hin1 ; le second élément à effet de magnétorésistance (27) d'un second champ magnétique de couplage intercouche négatif Hin2. Un premier élément résistif fixe (24) et un second élément résistif fixe (28) présentent la même structure de film.
(JA)【課題】特に、正負逆符号の層間結合磁界Hinを有する第1磁気抵抗効果素子と第2磁気抵抗効果素子のTCR差を小さくできるとともに、各磁気抵抗効果素子に直列接続される固定抵抗素子を同じ製造プロセスで形成できる磁気検出装置及びその製造方法を提供することを目的としている。 【解決手段】 第1磁気抵抗効果素子23と第2磁気抵抗効果素子27は非磁性導電層61、64の膜厚を除いて同じ膜構成で形成されている。前記第1磁気検出素子23と第2磁気抵抗効果素子27とで非磁性導電層61、64は異なる膜厚で形成され、前記第1磁気抵抗効果素子23は正値の第1層間結合磁界Hin1を有し第2磁気抵抗効果素子27は負値の第2層間結合磁界Hin2を有する。また第1固定抵抗素子24と第2固定抵抗素子28とは同じ膜構成で形成される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)