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1. (WO2008093640) FLOTOX-TYPE EEPROM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/093640    International Application No.:    PCT/JP2008/051213
Publication Date: 07.08.2008 International Filing Date: 28.01.2008
IPC:
H01L 21/8247 (2006.01), G11C 16/04 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Applicants: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (For All Designated States Except US).
SEKIGUCHI, Yushi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SEKIGUCHI, Yushi; (JP)
Agent: INAOKA, Kosaku; c/o AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5410054 (JP)
Priority Data:
2007-018053 29.01.2007 JP
2007-051641 01.03.2007 JP
Title (EN) FLOTOX-TYPE EEPROM
(FR) MÉMOIRE MORTE EFFAÇABLE ET PROGRAMMABLE ÉLECTRIQUEMENT (EEPROM) DE TYPE FLOTOX
(JA) FLOTOX型EEPROM
Abstract: front page image
(EN)There has been a problem of difficult cell layout in a double-cell system FLOTOX-type EEPROM design for miniaturization. A double-cell system FLOTOX type EEPROM is provided with a pair of floating gates (25a, 25b), two tunnel windows (30a, 30b), a common source (27), a common control gate (26) and select gates (29a, 29b), and a drain (28) is shared. Thus, the double-cell system FLOTOX type EEPROM designed to have high reliability and withstand voltage is provided.
(FR)Un problème de mauvaise disposition de cellule existe dans la conception de mémoire morte effaçable et programmable électriquement (EEPROM) de type FLOTOX de système à deux cellules pour miniaturisation. Une EEPROM de type FLOTOX de système à deux cellules comporte une paire de grilles flottantes (25a, 25b), deux fenêtres de tunnel (30a, 30b), une source commune (27), une grille de commande commune (26) et des grilles de sélection (29a, 29b), et un drain (28) est partagé. Ainsi, la EEPROM de type FLOTOX de système à deux cellules conçue pour avoir une fiabilité élevée et une tension de tenue élevée est proposée.
(JA) Wセル方式のFLOTOX型EEPROMの設計においては、微細化のため、セルのレイアウトを工夫しなければならないという課題があった。そこで、Wセル方式のFLOTOX型EEPROMとするため、対をなす2つのフローティングゲート25a,25bと、2つのトンネルウインドウ30a,30bと、共有のソース27と、共有のコントロールゲート26と、セレクトゲート29a,29bとを設けるとともに、ドレイン28を共有とした。これにより、高信頼性設計、高耐圧設計が実現されたWセル方式のFLOTOX型EEPROMを実現できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)