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1. (WO2008093586) RESIN-ENCAPSULATED SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/093586    International Application No.:    PCT/JP2008/050952
Publication Date: 07.08.2008 International Filing Date: 24.01.2008
IPC:
H01L 23/50 (2006.01)
Applicants: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-Cho, Ukyo-Ku, Kyoto-Shi, Kyoto 6158585 (JP) (For All Designated States Except US).
KASUYA, Yasumasa [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HAGA, Motoharu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YASUNAGA, Shoji [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KASUYA, Yasumasa; (JP).
HAGA, Motoharu; (JP).
YASUNAGA, Shoji; (JP)
Agent: SANO, Shizuo; Tenmabashi-Yachiyo Bldg. Bekkan, 2-6, Tenmabashi-Kyomachi, Chuo-Ku, Osaka-Shi, Osaka 5400032 (JP)
Priority Data:
2007-019219 30.01.2007 JP
Title (EN) RESIN-ENCAPSULATED SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ENCAPSULÉ PAR UNE RÉSINE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A resin-encapsulated semiconductor device having a semiconductor chip which is prevented from being damaged. The resin-encapsulated semiconductor device (100) comprises a semiconductor chip (1) including a silicon substrate, a die pad (10) to which the semiconductor chip (1) is secured through a first solder layer (2), a resin-encapsulating layer (30) encapsulating the semiconductor chip (1), and lead terminals (21) electrically connected to the semiconductor chip (1) and including inner lead portion (21b) covered with the resin-encapsulating layer (30). The lead terminals (21) are made of copper or a copper alloy. The die pad (10) is made of 42 alloy or a cover alloy and has a thickness (about 0.125 mm) less than the thickness (about 0.15 mm) of the lead terminals (21).
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur encapsulé par une résine dotée d'une puce semi-conductrice protégée de tout endommagement. Le dispositif semi-conducteur encapsulé par résine (100) comprend une puce semi-conductrice (1) incluant un substrat de silicium ; une pastille de dé (10) à laquelle la puce semi-conductrice (1) est fixée par une première couche de soudure (2) ; une couche d'encapsulation par résine (30) encapsulant la puce semi-conductrice (1) ; et des bornes d'amenée de courant (21) électriquement connectées à la puce semi-conductrice (1) et comprenant une partie de conducteur interne (21b) recouverte de la couche d'encapsulation de résine (30). Les bornes d'amenée de courant (21) sont faites de cuivre ou d'un alliage de cuivre. La pastille de dé (10) est faite d'un alliage 42 ou d'un alliage de cuivre et présente une épaisseur (environ 0,125 mm) inférieure à l'épaisseur (environ 0,15 mm) des bornes d'amenée de courant (21).
(JA) 半導体チップの損傷を抑制することが可能な樹脂封止型半導体装置を提供する。この樹脂封止型半導体装置(100)は、シリコン基板を含む半導体チップ(1)と、半導体チップ(1)が、第1ハンダ層(2)を介して固定されたダイパッド(10)と、半導体チップ(1)を封止する樹脂封止層(30)と、半導体チップ(1)と電気的に接続され、インナーリード部(21b)が樹脂封止層(30)によって覆われている複数のリード端子(21)とを備えている。また、リード端子(21)は、銅、または、銅合金から構成されており、ダイパッド(10)は、42Alloy合金、または、コバール合金から構成されている。さらに、ダイパッド(10)は、リード端子(21)の厚み(約0.15mm)以下の厚み(約0.125mm)に構成されている
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)