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1. (WO2008093573) SEMICONDUCTOR LASER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/093573    International Application No.:    PCT/JP2008/050850
Publication Date: 07.08.2008 International Filing Date: 23.01.2008
IPC:
H01S 5/343 (2006.01)
Applicants: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (For All Designated States Except US).
OKAMOTO, Kuniyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OHTA, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OKAMOTO, Kuniyoshi; (JP).
OHTA, Hiroaki; (JP)
Agent: INAOKA, Kosaku; c/o AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5410054 (JP)
Priority Data:
2007-019915 30.01.2007 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザ
Abstract: front page image
(EN)A Fabry-Perot type semiconductor laser consisting of III nitride semiconductor of hexagonal structure where the crystal face other than the c face is permitted to be a crystal growth main face. The semiconductor laser has the +c axis side end face and the -c axis side end face parallel with a plane intersecting the c axis. The laser output from the +c axis side end face is set larger than the laser output from the -c axis side end face, and the +c axis side end face serves as the laser exit end face. A waveguide is preferably formed in parallel with the projection vector to the crystal growth main face of the c axis. The crystal growth main face is preferably the m face. Furthermore, the +c axis side end face is preferably the +c face and the -c axis side end face is preferably the -c face.
(FR)L'invention concerne un laser semi-conducteur de type Fabry-Perot, consistant en un semi-conducteur de nitrure III de structure hexagonale dans lequel la face cristalline autre que la face c peut être une face principale de croissance cristalline. La face d'extrémité côté axe +c et la face d'extrémité côté axe -c du laser semi-conducteur sont parallèles à un plan coupant l'axe c. La sortie laser provenant de la face d'extrémité côté axe +c est réglée pour être supérieure à la sortie laser provenant de la face d'extrémité côté axe -c ; et la face d'extrémité côté axe +c sert de face d'extrémité de sortie laser. Un guide d'onde est, de préférence, formé parallèlement au vecteur de projection vers la face principale de croissance cristalline de l'axe c. La face principale de croissance cristalline est, de préférence, la face m. De plus, la face d'extrémité côté axe +c est, de préférence, la face +c et la face d'extrémité côté axe -c est, de préférence, la face -c.
(JA) この半導体レーザは、c面以外の結晶面を結晶成長主面とした六方晶構造のIII族窒化物半導体からなるファブリペロー型半導体レーザである。この半導体レーザは、c軸と交差する平面に平行な+c軸側端面および-c軸側端面を有し、+c軸側端面からのレーザ出力が、-c軸側端面からのレーザ出力よりも大きくなるようにして、前記+c軸側端面をレーザ出射端面としてある。c軸の前記結晶成長主面への投影ベクトルに平行に導波路が形成されていることが好ましい。また、前記結晶成長主面がm面であることが好ましい。さらに、前記+c軸側端面が+c面であり、前記-c軸側端面が-c面であることが好ましい。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)