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Pub. No.:    WO/2008/093514    International Application No.:    PCT/JP2008/050100
Publication Date: 07.08.2008 International Filing Date: 09.01.2008
H03H 9/17 (2006.01), H01L 41/08 (2006.01), H01L 41/09 (2006.01), H01L 41/18 (2006.01), H01L 41/22 (2006.01)
Applicants: Murata Manufacturing Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (For All Designated States Except US).
TAKEUCHI, Masaki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TAKEUCHI, Masaki; (JP)
Agent: KOMORI, Hisao; 1-4-34, Noninbashi Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5400011 (JP)
Priority Data:
2007-023741 02.02.2007 JP
(JA) 圧電薄膜共振子
Abstract: front page image
(EN)A piezoelectric thin-film (14) is disposed between a pair of electrodes (13, 15) to constitute a vibration part (20) in cooperation with an insulation layer (12) and a temperature characteristic compensation film (16). The vibration part (20) is supported on an element wafer (11) through support parts (21, 22) and a gap (Ga) is formed between the vibration part (20) and the element wafer (11). The corners of the vibration part (20) are chamfered to suppress the maximum amount of the vertical displacement of the vibration part (20) at its corners due to warping thereof. With this constitution, the entire of the resonator is small-sized, deterioration of its characteristics is avoided and its reliability can be kept.
(FR)Selon l'invention, une couche mince piézoélectrique (14) est disposée entre une paire d'électrodes (13, 15) de sorte à former une partie de vibration (20) en coopération avec une couche d'isolation (12) et une pellicule de compensation de caractéristiques de températures (16). La partie de vibration (20) est soutenue sur un élément plaquette (11) par des parties de support (21, 22) et un espace (Ga) est formé entre la partie de vibration (20) et l'élément plaquette (11). Les angles de la partie de vibration (20) sont chanfreinés de sorte à supprimer le maximum de déplacement vertical de la partie de vibration (20) au niveau de ses angles du fait de leur gauchissement. La structure selon l'invention permet d'obtenir un résonateur de petite taille, d'éviter la détérioration de ses caractéristiques et de préserver sa fiabilité.
(JA) 一対の電極(13,15)の間に圧電薄膜(14)を配置し、絶縁層(12)および温度特性補償膜(16)とともに振動部(20)を構成し、振動部(20)を支持部(21,22)を介して素子ウエハ(11)上に支持するとともに振動部(20)と素子ウエハ(11)との間に空隙部Gaを設ける。この振動部(20)の角を面取り形状とし、振動部(20)の反りによる角部における上下方向の最大変位量を小さく抑える。これにより全体に小型化を図りながら特性劣化を回避し信頼性を確保する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)