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1. (WO2008092737) CONTROL CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING LARGE-SCALE SEMICONDUCTOR LIGHT SOURCES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2008/092737    International Application No.:    PCT/EP2008/050391
Publication Date: 07.08.2008 International Filing Date: 15.01.2008
IPC:
H05B 33/08 (2006.01)
Applicants: OSRAM GESELLSCHAFT MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG [DE/DE]; Hellabrunner Str. 1, 81543 München (DE) (For All Designated States Except US).
HYING, Ralf [DE/DE]; (DE) (For US Only).
NIEDERMEIER, Peter [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: HYING, Ralf; (DE).
NIEDERMEIER, Peter; (DE)
Agent: RAISER, Franz; c/o OSRAM GmbH, Postfach 22 16 34, 80506 München (DE)
Priority Data:
10 2007 004 393.9 29.01.2007 DE
Title (DE) ANSTEUERSCHALTUNG UND VERFAHREN ZUR ANSTEUERUNG VON GROSSFLÄCHIGEN HALBLEITERLICHTQUELLEN
(EN) CONTROL CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING LARGE-SCALE SEMICONDUCTOR LIGHT SOURCES
(FR) CIRCUIT DE CONTRÔLE ET PROCÉDÉ DE CONTRÔLE DE SOURCES LUMINEUSES À SEMI-CONDUCTEUR DE GRANDE SURFACE
Abstract: front page image
(DE)Ansteuerschaltung zur Ansteuerung von Halbleiterlichtquellen mit einer oder mehrerer auf einem Schaltungsträger aufgebrachten Halbleiterlichtquellen, wobei die Ansteuerschaltung für die Halbleiterlichtquellen mit auf dem Schaltungsträger aufgebracht ist und Pulse mit einer Anstiegszeit von unter 3&mgr;s erzeugen kann.
(EN)The invention relates to a control circuit for controlling semiconductor light sources comprising one or more semiconductor light sources that are applied to a circuit carrier, wherein the control circuit for the semiconductor light sources is applied also to the circuit carrier and can produce pulses having a rise time of less than 3 ms.
(FR)L'invention concerne un circuit de contrôle pour le contrôle de sources lumineuses à semi-conducteur, présentant une ou plusieurs sources lumineuses à semi-conducteur, montées sur un porte-circuit, le circuit de contrôle pour les sources lumineuses à semi-conducteur étant monté sur le porte-circuit, et pouvant produire des impulsions à un temps de montée inférieur à 3 µs.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)