Soft programming is performed to narrow the threshold voltage distribution of a set of erased memory cells. Soft programming can shift the threshold voltage of memory cells closer to a verify level for the erased state. A set of memory cells can be soft programmed by soft programming portions of the set to provide more consistent soft programming rates and threshold voltages. A first soft programming pulse can be applied to a first group of cells of the set while inhibiting soft programming of a second group of cells. A second soft programming pulse can then be applied to the second group of cells while inhibiting soft programming of the first group of cells. A small positive voltage of lower magnitude than the soft programming pulses can be applied to the group of cells to be inhibited. The size of the small positive voltage can be chosen so that each memory cell of the set will experience similar capacitive coupling effects from neighboring transistors when it is undergoing soft programming.

La présente invention concerne la programmation souple effectuée pour réduire la distribution de tensions seuils d'un ensemble de cellules de mémoire effacées. La programmation souple peut rapprocher la tension seuil de cellules de mémoire vers un niveau de vérification pour l'état d'effacement. Un ensemble de cellules de mémoire peut faire l'objet d'une programmation souple grâce à la programmation de parties de l'ensemble pour assurer des taux de programmation souple et de tensions seuils plus constants. Une première impulsion de programmation souple peut être appliquée à un premier groupe de cellules de l'ensemble tout en interdisant la programmation souple d'un second groupe de cellules. Une seconde impulsion de programmation souple peut ensuite être appliquée au second groupe de cellules tout en interdisant la programmation souple du premier groupe de cellules. Une tension positive faible de grandeur inférieure aux impulsions de programmation souple peut être appliquée au groupe de cellules à inhiber. La grandeur de la tension positive faible peut être choisie de sorte que chaque cellule de mémoire de l'ensemble va être soumise à des effets de couplage capacitif identiques à partir des transistors voisins lorsque la programmation souple lui est appliquée.