(EN) Disclosed is a method for manufacturing a group III nitride compound semiconductor light-emitting device having excellent emission characteristics at high yield. Also disclosed are a group III nitride compound semiconductor light-emitting device and a lamp. Specifically disclosed is a method for manufacturing a group III nitride compound semiconductor light-emitting device, which comprises a step wherein a semiconductor layer composed of a group III nitride compound semiconductor containing Ga as a group III element is formed on a substrate (11) by sputtering. In this method, the substrate (11) and a sputtering target are arranged opposite to each other, and the distance between the substrate (11) and the sputtering target is set within the range of 20-100 mm. In addition, when the semiconductor layer is formed by sputtering, the bias value applied to the substrate (11) is set at 0.1 W/cm2 or higher. Furthermore, when the semiconductor layer is formed, the sputtering is performed while supplying nitrogen and argon into a chamber which is used for the sputtering.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent comportant un semi-conducteur formé d'un nitrure du groupe III, ledit dispositif offrant d'excellentes caractéristiques d'émission avec un rendement élevé. L'invention concerne également un dispositif électroluminescent comportant un semi-conducteur formé d'un nitrure du groupe III ; et une lampe. L'invention concerne spécifiquement un procédé comprenant une étape de formation, par pulvérisation, d'une couche semi-conductrice composée d'un semi-conducteur formé d'un nitrure du groupe III (ledit semi-conducteur contenant du gallium Ga en tant qu'élément du groupe III) sur un substrat (11). Selon le procédé de l'invention, le substrat (11) et une cible de pulvérisation sont placés face à face, la distance les séparant étant fixée de 20 à 100 mm. De plus, lors de la formation de ladite couche semi-conductrice par pulvérisation, la polarisation appliquée au substrat (11) est fixée à 0,1 W/cm2 ou plus ; la pulvérisation permettant de former ladite couche semi-conductrice s'effectue en outre sous alimentation en azote et en argon dans une chambre réservée à la pulvérisation.
(JA) 生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたIII族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びIII族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプが提供される。そのようなIII族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法は、基板11上に、III族元素としてGaを含むIII族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む製造方法であり、基板11とスパッタターゲットとを対向して配置するとともに、基板11とスパッタターゲットとの間隔を20~100mmの範囲とする。また、半導体層をスパッタ法で成膜する際に、基板11に印加するバイアス値を0.1W/cm2以上とする。さらに、前記半導体層を成膜する際、スパッタに用いるチャンバ内に、窒素及びアルゴンを供給してスパッタする。