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1. WO2007142138 - MRAM USING 2T2MTJ CELL

Note: Text based on automatic Optical Character Recognition processes. Please use the PDF version for legal matters

[ JA ]

請求の範囲

[1] 第 1方向へ延在する複数の第 1配線及び複数の第 2配線と、

第 2方向へ延在する複数の第 3配線及び複数の第 4配線と、

前記複数の第 1配線と前記複数の第 3配線との交点の各々に対応して設けられた 複数のメモリセルと

を具備し、

前記複数のメモリセルの各々は、

前記第 1配線と前記第 2配線との間に直列に接続され、前記第 3配線の信号で制 御される第 1トランジスタ及び第 2トランジスタと、

一端を前記第 1トランジスタと前記第 2トランジスタとをつなぐ書き込み配線に、他端 を接地に接続された第 1磁気抵抗素子と、

一端を前記書き込み配線に、他端を前記第 4配線に接続された第 2磁気抵抗素子 と

を含む

磁気ランダムアクセスメモリ。

[2] 請求の範囲 1に記載の磁気ランダムアクセスメモリにお、て、

前記第 1方向へ延在する複数の第 5配線と、

前記第 2方向へ延在する複数の第 6配線と

を更に具備し、

前記複数のメモリセルの各々は、前記書き込み配線と前記第 5配線との間に接続さ れ、前記第 6配線の信号で制御される第 3トランジスタを含む

磁気ランダムアクセスメモリ。

[3] 請求の範囲 1に記載の磁気ランダムアクセスメモリにお、て、

前記複数のメモリセルのうちの隣り合う 2つのメモリセルは、前記書き込み配線が鏡 面対称に配置されている

磁気ランダムアクセスメモリ。

[4] 請求の範囲 3に記載の磁気ランダムアクセスメモリにお、て、

前記隣り合う 2つのメモリセルは、前記書き込み配線が鏡面対称に配置され、且つ 、磁気抵抗素子層が併進対称に配置されている

磁気ランダムアクセスメモリ。

[5] 請求の範囲 1に記載の磁気ランダムアクセスメモリにお、て、

前記複数のメモリセルの各々は、前記書き込み配線を流れる書き込み電流により、 前記第 1磁気抵抗素子と前記第 2磁気抵抗素子とに異なるデータが書き込まれる 磁気ランダムアクセスメモリ。

[6] 請求の範囲 1に記載の磁気ランダムアクセスメモリにお、て、

前記第 1配線と前記第 1トランジスタとを接続する端子が、前記複数のメモリセルのう ちの隣り合う 2つのメモリセルにおいて物理的に共有され、且つ、前記第 2配線と第 2 トランジスタとを接続する端子力前記隣り合う 2つのメモリセルにおいて物理的に共 有されている

磁気ランダムアクセスメモリ。

[7] 請求の範囲 1に記載の磁気ランダムアクセスメモリにお、て、

前記複数のメモリセルのうちの隣り合う 2つのメモリセルのうち一方のメモリセルにお いて、前記第 1磁気抵抗素子が前記第 1配線側に配置され、且つ、前記第 2磁気抵 抗素子が前記第 2配線側に配置されており、他方のメモリセルにおいて、前記第 1磁 気抵抗素子が前記第 2配線側に配置され、且つ、前記第 2磁気抵抗素子が前記第 1 配線側に配置されている

磁気ランダムアクセスメモリ。

[8] 請求の範囲 1に記載の磁気ランダムアクセスメモリにお、て、

前記書き込み配線は、略 U字型形状を有する

磁気ランダムアクセスメモリ。

[9] 磁気ランダムアクセスメモリの動作方法であって、

ここで、前記磁気ランダムアクセスメモリは、

第 1方向へ延在する複数の第 1配線及び複数の第 2配線と、

第 2方向へ延在する複数の第 3配線及び複数の第 4配線と、

前記複数の第 1配線と前記複数の第 3配線との交点の各々に対応して設けられ た複数のメモリセノレと

を具備し、

前記複数のメモリセルの各々は、

前記第 1配線と前記第 2配線との間に直列に接続され、前記第 3配線の信号で制 御される第 1トランジスタ及び第 2トランジスタと、

一端を前記第 1トランジスタと前記第 2トランジスタとをつなぐ書き込み配線に、他 端を接地に接続された第 1磁気抵抗素子と、

一端を前記書き込み配線に、他端を前記第 4配線に接続された第 2磁気抵抗素 子と

を含み、

前記磁気ランダムアクセスメモリの動作方法は、前記メモリセルの読み出し動作時 に、

(A)前記第 4配線を接地電位よりも高電位の第 1電位にするステップと、

(B)前記書き込み配線の電位と前記第 1電位の 1Z2の基準電位とを比較した比較 結果に基づいて、読み出しデータを出力するステップと

を具備する

磁気ランダムアクセスメモリの動作方法。

[10] 請求の範囲 9に記載の磁気ランダムアクセスメモリの動作方法において、

前記 (B)ステップは、

(B1)前記第 3配線を選択して、前記第 1トランジスタと前記第 2トランジスタとをオン にするステップと、

(B2)前記第 1配線及び前記第 2配線の、ずれか一方から前記書き込み配線の電 を

取得するステップと

を備える

磁気ランダムアクセスメモリの動作方法。

[11] 請求の範囲 9に記載の磁気ランダムアクセスメモリの動作方法において、

前記磁気ランダムアクセスメモリは、

前記第 1方向へ延在する複数の第 5配線と、

前記第 2方向へ延在する複数の第 6配線と

を更に具備し、

前記複数のメモリセルの各々は、前記書き込み配線と前記第 5配線との間に接続 され

、前記第 6配線の信号で制御される第 3トランジスタを含み、

前記 (B)ステップは、

(B1)前記第 6配線を選択して、前記第 3トランジスタをオンにするステップと、 (B2)前記第 5配線力前記書き込み配線の電位を取得するステップと を備える

磁気ランダムアクセスメモリの動作方法。