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1. WO2007138893 - POSITIVE RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMATION OF RESIST PATTERN

Note: Text based on automatic Optical Character Recognition processes. Please use the PDF version for legal matters

[ JA ]

請求の範囲

酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する榭脂成分 (A)と、露光により酸を発生す る酸発生剤成分 (B)とを含有するポジ型レジスト組成物であって、

前記榭脂成分 (A)が、下記一般式 (aO— 1)で表される構成単位 (aO— 1)と、下記 一般式 (aO— 2)で表される構成単位 (aO 2)とを有するポジ型レジスト組成物。

[化 1]


( a 0 - 1 ) ( a 0 - 2 )

[式 (aO— 1)中、 Rは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基またはハロゲンィ匕低 級アルキル基であり; Y1は脂肪族環式基であり; Zは第 3級アルキル基含有基または アルコキシアルキル基であり; aは 1〜3の整数であり、 bは 0〜2の整数であり、かつ a +1)= 1〜3でぁり; d、 eはそれぞれ独立して 0〜3の整数である。式(aO 2)中、 R は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基またはハロゲンィ匕低級アルキル基であ り; Y3は脂肪族環式基であり;g、 hはそれぞれ独立して 0〜3の整数であり; iは 1〜3 の整数である。 ]

[2] 前記榭脂成分 (A)中の前記構成単位 (aO—l)の割合が、前記榭脂成分 (A)を構 成する全構成単位の合計に対し、 1〜40モル%である請求項 1記載のポジ型レジス ト組成物。

[3] 前記榭脂成分 (A)が、さらに、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから

誘導される構成単位 (al)を有する請求項 1記載のポジ型レジスト組成物。

[4] 前記榭脂成分 (A)が、さらに、ラタトン含有環式基を含むアクリル酸エステル力も誘 導される構成単位 (a2)を有する請求項 1に記載のポジ型レジスト組成物。

[5] 前記榭脂成分 (A)が、さらに、ラタトン含有環式基を含むアクリル酸エステル力も誘 導される構成単位 (a2)を有する請求項 3に記載のポジ型レジスト組成物。

[6] さらに含窒素有機化合物(D)を含有する請求項 1に記載のポジ型レジスト組成物。

[7] 請求項 1〜6のいずれか 1項に記載のポジ型レジスト組成物を用いて基板上にレジ スト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、前記レジスト膜を現像してレ ジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。