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1. WO2007138800 - LAYERED TYPE BALLOON TRANSFORMER

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[ JA ]
明 細書

積層型バルントランス

技術分野

[0001] この発明は、携帯電話機の ICやテレビジョン受信機のアンテナ等の平衡—不平衡 変換器として用いられる積層型バルントランスに関するものである。

背景技術

[0002] バルントランスは、図 22の等価回路図で示すように、第 1トランス 100と第 2トランス 2 00とを有してレ、る。そして、第 1トランス 100を構成するコイル 101, 102と第 2トランス 200を構成するコイル 201 , 202とを図に示すように接続することで、アンバランス端 子 300側のインピーダンスとバランス端子 301, 302側のインピーダンスとの比を 1対 4にしている。

従来、この種の回路構造を持つ積層型バルントランスとしては、例えば特許文献 1 や特許文献 2に開示の技術がある。

これらの積層型バルントランスは、第 1及び第 2トランス 100, 200のコイルを形成す るためのコイル用導体パターンや磁性シート及び非磁性シートを積層することで、構 成されており、小型化されている点に特徴を有する。

[0003] 特許文献 1 :特開平 04— 206905号公報

特許文献 2:特開平 06 - 120428号公報

発明の開示

[0004] しかし、上述した従来の積層型バルントランスでは、次のような問題がある。

バルントランスでは、一般にアンバランス端子側のインピーダンスを 1とすると、バ ランス端子側のインピーダンス力トランスの数の 2乗の値になる。例えば、トランス数 力その場合には、アンバランス端子側のインピーダンスとバランス端子側のインピーダ ンスとの比が 1対 1になり、図 22に示すように、トランス数が 2の場合には、アンバラン ス端子側のインピーダンスとバランス端子側のインピーダンスとの比力^対 4 (2の 2乗 )になる。したがって、アンバランス端子に対するバランス端子側のインピーダンスの 比を変えたい場合には、トランス数を変えればよいことになる。

し力ながら、アンバランス端子に対するバランス端子側のインピーダンスの比は、

1、 4、 9、…というように、離散的な値を取り、しかも、比間の差が大きい。したがって、 バランス端子側の線路が、アンバランス端子側の線路に対して、 2、 3、 6…というよう なインピーダンスの比を有する場合には、従来のバルントランスを使用することができ なレ、。すなわち、従来のバルントランスでは、汎用性に欠け、各種インピーダンスの線 路に適用することができない。

[0005] この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、各種のインピーダン スを有する線路に適用可能な積層型バルントランスを提供することを目的とする。

[0006] 上記課題を解決するために、請求項 1の発明は、第 1磁性体基板と、この第 1磁性 体基板上に積層され且つそれぞれが互いに向き合う 1次側コイルと 2次側コイルとで 構成された第 1トランス及び第 2トランスを内包する積層体と、この積層体上に設けら れた第 2磁性体基板とを備える積層型バルントランスであって、第 1トランスの 1次側コ ィルの一方端をアンバランス端子とすると共に 1次側コイルの他方端を第 1のバランス 端子とし、 2次側コイルの一方端及び他方端をそれぞれグランド端子とし、第 2トラン スの 1次側コイルの一方端を第 1トランスの 1次側コイルの一方端に接続すると共に 1 次側コイルの他方端を第 1トランスの 2次側コイルの他方端に接続し、第 2トランスの 2 次側コイルの一方端を第 1トランスの 2次側コイルの一方端に接続すると共に 2次側コ ィルの他方端を第 2のバランス端子とし、第 1トランスの 1次側コイルの線幅が一方端 側から他方端側に向かって増加又は減少するように、 1次側コイルの形状を設定する と共に、第 2トランスの 2次側コイルの線幅が一方端側から他方端側に向かって増加 又は減少するように、 2次側コイルの形状を設定した構成とする。

力、かる構成により、第 1トランスの 1次側コイルの線幅が一方端側から他方端側に向 力、つて増加するように、 1次側コイルの形状を設定すると共に、第 2トランスの 2次側コ ィルの線幅が一方端側から他方端側に向かって増加するように、 2次側コイルの形状 を設定することで、アンバランス端子側のインピーダンスと第 1及び第 2のバランス端 子側のインピーダンスとの比を、 1対 3等のように、 1対 4よりも小さくすること力 Sできる。 また、第 1トランスの 1次側コイルの線幅が一方端側から他方端側に向かって減少す るように、 1次側コイルの形状を設定すると共に、第 2トランスの 2次側コイルの線幅が

一方端側から他方端側に向かって減少するように、 2次側コイルの形状を設定するこ とで、 1対 6等のように、 1対 4よりも大きくすることができる。

[0007] また、請求項 2の発明は、第 1磁性体基板と、この第 1磁性体基板上に積層され且 つそれぞれが互いに向き合う 1次側コイルと 2次側コイルとで構成された一のトランス を内包する積層体と、この積層体上に設けられた第 2磁性体基板とを備える積層型 バルントランスであって、トランスの 1次側コイルの一方端をアンバランス端子とすると 共に 1次側コイルの他方端を第 1のバランス端子とし、 2次側コイルの一方端をグラン ド端子とすると共に 2次側コイルの他方端を第 2のバランス端子とし、トランスの 1次側 コイルの線幅と 2次側コイルの線幅とがー方端側から他方端側に向かって増加又は 減少するように、 1次側コイル及び 2次側コイルの形状を設定した構成とする。

かかる構成により、 1次側及び 2次側コイルの線幅が一方端側から他方端側に向か つて増加するように、コイルの形状を設定することで、アンバランス端子側のインピー ダンスと第 1及び第 2のバランス端子側のインピーダンスとの比を、 1対 0. 5等のように 、 1対 1よりも小さくすることができる。また、 1次側及び 2次側コイルの線幅が一方端側 力 他方端側に向かって減少するように、コイルの形状を設定することで、当該比を、 1対 2等のように、 1対 1よりも大きくすることができる。

[0008] さらに、請求項 3の発明は、第 1磁性体基板と、この第 1磁性体基板上に積層され 且つそれぞれが互いに向き合う 1次側コイルと 2次側コイルとで構成された第 1トラン スないし第 nトランス (n= 3以上の整数)を内包する積層体と、この積層体上に設けら れた第 2磁性体基板とを備える積層型バルントランスであって、第 1トランスの 1次側コ ィルの一方端をアンバランス端子とすると共に当該 1次側コイルの他方端を第 1のバ ランス端子とし、第 nトランスの 2次側コイルの一方端をグランド端子とすると共に当該 2次側コイルの他方端を第 2のバランス端子とし、第 1トランスないし第 n_ lトランスの 2次側コイルの一方端を第 nトランスの 2次側コイルの一方端に接続し、第 2トランスな レ、し第 nトランスの 1次側コイルの一方端を第 1トランスの 1次側コイルの一方端に接 続すると共に他方端を前段のトランスの 2次側コイルの他方端にそれぞれ接続し、第 1トランスの 1次側コイルの線幅が一方端側から他方端側に向かって増加又は減少 するように、当該 1次側コイルの形状を設定すると共に、第 nトランスの 2次側コイルの 線幅が一方端側から他方端側に向かって増加又は減少するように、当該 2次側コィ ルの形状を設定した構成とする。

力かる構成により、第 1トランスの 1次側コイルの線幅が一方端側から他方端側に向 力、つて増加するように、 1次側コイルの形状を設定すると共に、第 nトランスの 2次側コ ィルの線幅が一方端側から他方端側に向かって増加するように、 2次側コイルの形状 を設定することで、アンバランス端子側のインピーダンスとバランス端子側のインピー ダンスとの比を、 1対 n2よりも小さくすること力 Sできる。また、第 1トランスの 1次側コイル の線幅が一方端側から他方端側に向かって減少するように、 1次側コイルの形状を 設定すると共に、第 nトランスの 2次側コイルの線幅が一方端側から他方端側に向か つて減少するように、 2次側コイルの形状を設定することで、 1対 n2よりも大きくすること ができる。

[0009] 以上詳しく説明したように、この発明によれば、アンバランス端子に対するバランス 端子側のインピーダンスの比を、 1、 4、 9、…というような離散的な値だけでなぐ 2、 3 、 6…等のように、実装する線路のインピーダンスに合わせた比に任意に設定するこ とができるので、各種インピーダンスの線路に低挿入損失で実装することができる汎 用性に優れた積層型バルントランスを提供することができるという優れた効果がある。 図面の簡単な説明

[0010] [図 1]この発明の第 1実施例に係る積層型バルントランスの分解斜視図である。

[図 2]積層型バルントランスの外観図である。

[図 3]最下層の導体パターンの平面図である。

[図 4]絶縁体層の平面図である。

[図 5]二層目の導体パターンの平面図である。

[図 6]第 1トランスの 1次側コイルを展開して示す概略平面図である。

[図 7]三層目の導体パターンの平面図である。

[図 8]絶縁体層の平面図である。

[図 9]最上層の導体パターンの平面図である。

[図 10]第 2トランスの 2次側コイルを展開して示す概略平面図である。

[図 11]第 1及び第 2トランスの電気的構造を示す模式図である。

[図 12]積層型バルントランスを線路上に実装した状態を示す平面図である。

[図 13]この発明の第 2実施例に係る積層型バルントランスの分解斜視図である。

[図 14] 1次側コイルの下層の導体パターンを示す平面図である。

[図 15]中間の絶縁体層を示す平面図である。

[図 16] 1次側コイルの上層の導体パターンを示す平面図である。

[図 17]2次側コイルの下層の導体パターンを示す平面図である。

[図 18]中間の絶縁体層を示す平面図である。

[図 19]2次側コイルの上層の導体パターンを示す平面図である。

[図 20]第 2実施例の積層型バルントランスの等価回路図である。

[図 21]この発明の第 3実施例に係る積層型バルントランスの等価回路図である。

[図 22]従来例に係る 1対 4型のバルントランスの等価回路図である。

符号の説明

[0011] 1 , 3…磁性体基板、 2…積層体、 4 4 6…外部電極、 5…第 1トランス、

5— 1 , 6— 1 , 8— 1 , 9— 1 · · · 1次側コイル、 6…第 2卜ランス、 5— 2, 6— 2, 8— 2 , 9— 2· · · 2次側コイル、 7…絶縁体、 8…トランス、 51〜54, 61〜64, 81〜84 …導体パターン、 51a〜54a, 61a〜64a…内部電極、 51b〜54b, 51c〜54c, 61b〜64b, 61c〜64c…パターン、 71〜76…絶縁体層。

発明を実施するための最良の形態

[0012] 以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。

実施例 1

[0013] 図 1は、この発明の第 1実施例に係る積層型バルントランスの分解斜視図であり、図

2は、積層型バルントランスの外観図である。

[0014] 図 2に示すように、この実施例では、積層型バルントランスを、第 1磁性体基板として の磁性体基板 1と、この磁性体基板 1上に積層された積層体 2と、この積層体 2上に 接着された第 2磁性体基板としての磁性体基板 3と、外部電極 4一:!〜 4一 6とで構成 した。

[0015] 積層体 2は、図 1に示すように、第 1トランス 5と、この第 1トランス 5とほぼ同構造で且 つ同方向を向く第 2トランス 6と、これら第 1及び第 2トランス 5, 6を外側から覆った絶

縁体 7 (図 2参照)とを有している。

[0016] 絶縁体 7は、例えば誘電体であって、絶縁体層 71〜75を積層して成る。そして、第 1及び第 2トランス 5, 6は、このような絶縁体層 71〜74上にパターン形成されている。 具体的には、第 1トランス 5を、積層方向で互いに向き合う 1次側コイル 5—1と 2次 側コイル 5— 2とで構成した。そして、 1次側コイル 5—1を導体パターン 51と導体パタ ーン 52とで形成し、 2次側コイル 5— 2を導体パターン 53と導体パターン 54とで形成 した。

一方、第 2トランス 6も、積層方向で互いに向き合う 1次側コイル 6—1と 2次側コィノレ 6— 2とで構成した。そして、 1次側コイル 6—1を導体パターン 63と導体パターン 64と で形成し、 2次側コイル 6— 2を導体パターン 61と導体パターン 62とで形成した。

[0017] ここで、第 1及び第 2トランス 5, 6の構造について詳細に説明する。

導体パターン 51, 64は、磁性体基板 1上に積層された絶縁体層 71上にフォトリソグ ラフィ法等によってパターン形成されている。そして、絶縁体層 72が導体パターン 51 , 64上に積層された後、導体パターン 52, 63が絶縁体層 72上にパターン形成され ている。

図 3は、導体パターン 51 , 64の平面図であり、図 4は、絶縁体層 72の平面図であり 、図 5は、導体パターン 52, 63の平面図であり、図 6は、第 1トランス 5の 1次側コイル 5— 1を展開して示す概略平面図である。

図 3に示すように、導体パターン 51は、内側から引き出された内部電極 51aを有す るパターン 51bと外側のパターン 51cとで形成されている。また、導体パターン 52は、 図 5に示すように、外側に引き出された内部電極 52aを有するパターン 52bと内側の パターン 52cとで形成されている。そして、導体パターン 52のパターン 52bの端部 52 W と導体パターン 51のパターン 51cの端部 51 とが図 4に示す絶縁体層 72のス ルーホール 72aを通じて接続されている。また、パターン 51cの端部 51 ' とパタ ーン 52cの端部 52 とがスルーホール 72bを通じて接続され、パターン 52cの端部 52 ' とパターン 51bの端部 511/ とがスルーホール 72cを通じて接続されている 。このようにして、内部電極 51 a, 52aを両端とするスパイラル状の 1次側コイル 5—1 が形成されている。

[0018] ところで、この実施例では、パターン 52bの線幅が最も太ぐパターン 51c, 52cの 順で線幅が細くなり、パターン 51bの線幅が最も細くなるように形成されている。

すなわち、図 6に示すように、第 1トランス 5の 1次側コイル 5—1を展開すると、その線 幅が一方端である内部電極 52a側から他方端である内部電極 51a側に向かって減 少する。

[0019] 一方、導体パターン 64は、図 3に示すように、隣の導体パターン 51の外側中央部( 内部電極 52aと対応する位置)に引き出された内部電極 64aを有するパターン 64bと 内側のパターン 64cとで形成されている。また、導体パターン 63は、図 5に示すように 、内側から導体パターン 52, 63の間の中央にまで引き出された内部電極 63aを有す るパターン 63bと外側のパターン 63cとで形成されている。そして、パターン 64bの端 部 641/ とパターン 63cの端部 63 とがスルーホール 72dを通じて接続されている 。また、パターン 63cの端部 63 ' とパターン 64cの端部 64c とがスルーホール 7 2eを通じて接続され、パターン 64cの端部 64 ' とパターン 63bの端部 631/ とが スルーホール 72fを通じて接続されている。このようにして、内部電極 64a, 63aを両 端とし且つ線幅が内部電極 64a側から内部電極 63a側に向かって減少するスパイラ ル状の 1次側コイル 6— 1が形成されてレ、る。

[0020] また、図 1に示すように、導体パターン 53, 62は、導体パターン 52, 63の上に積層 された絶縁体層 73上にパターン形成されている。そして、絶縁体層 74が導体パター ン 53, 62上に積層された後、導体パターン 54, 61が絶縁体層 74上にパターン形成 されている。

図 7は、導体パターン 53, 62の平面図であり、図 8は、絶縁体層 74の平面図であり 、図 9は、導体パターン 54, 61の平面図であり、図 10は、第 2トランス 6の 2次側コィ ノレ 6 _ 2を展開して示す概略平面図である。

図 7に示すように、導体パターン 53は、内側から導体パターン 53, 62の間の中央 にまで引き出された内部電極 53aを有するパターン 53bと外側のパターン 5ccとで形 成されている。また、導体パターン 54は、隣の導体パターン 61の外側中央部(内部 電極 62aと対応する位置)に引き出された内部電極 54aを有するパターン 54bと内側 のパターン 54cとで形成されている。そして、導体パターン 54のパターン 54bの端部 54b' と導体パターン 53のパターン 53cの端部 53c' とが図 8に示す絶縁体層 74の スルーホール 74aを通じて接続されている。また、パターン 53cの端部 53 ' とパ ターン 54cの端部 54 とがスルーホール 74bを通じて接続され、パターン 54cの端 部 54 ' とパターン 53bの端部 531/ とがスルーホール 74cを通じて接続されてい る。このようにして、内部電極 54a, 53aを両端とし且つ線幅が内部電極 54a側から内 部電極 53a側に向かって減少するスパイラル状の 2次側コイル 5— 2が形成されてい る。

[0021] 一方、導体パターン 62は、図 7に示すように、外側に引き出された内部電極 62aを 有するパターン 62bと内側のパターン 62cとで形成されている。また、導体パターン 6 1は、図 9に示すように、内側から引き出された内部電極 61aを有するパターン 61bと 外側のパターン 61cとで形成されている。そして、パターン 62bの端部 62b' とパタ ーン 61cの端部 61 とがスルーホール 74dを通じて接続されている。また、パター ン 61cの端部 61c' ' とパターン 62cの端部 62 とがスルーホール 74eを通じて接 続され、パターン 62cの端部 62 ' とパターン 61bの端部 611/ とがスルーホール 74fを通じて接続されている。このようにして、内部電極 62a, 61aを両端とするスパイ ラル状の 2次側コイル 6 - 2が形成されてレ、る。

[0022] ところで、この実施例では、パターン 62bの線幅が最も太ぐパターン 61c, 62cの 順で線幅が細くなり、パターン 61bの線幅が最も細くなるように形成されている。 すなわち、図 10に示すように、第 2トランス 6の 2次側コイル 6— 2を展開すると、その 線幅が一方端である内部電極 62a側から他方端である内部電極 61a側に向かって 減少するように、 2次側コイル 6— 2の形状を設定してある。

そして、図 1に示すように、絶縁体層 75が導体パターン 54, 61の上に積層され、磁 性体基板 3がこの絶縁体層 75の上に接着されている。

[0023] 外部電極 4一:!〜 4 _ 6は、上記のような構造のチップ体の側面に形成されている。

具体的には、外部電極 4_ 1が導体パターン 52, 64の内部電極 52a, 64aの両方 に電気的に接続され、外部電極 4_ 2が導体パターン 51の内部電極 51aに電気的 に接続されている。そして、外部電極 4— 3が導体パターン 61の内部電極 61aに電 気的に接続され、外部電極 4 _4が導体パターン 53, 63の内部電極 53a, 63aの両 方に電気的に接続されると共に、外部電極 4 5が導体パターン 54, 62の内部電極 54a, 62aの両方に電気的に接続されている。

[0024] 図 11は、第 1及び第 2トランス 5, 6の電気的構造を示す模式図である。

上記のような導体パターン同士の接続や外部電極 4一:!〜 4一 6と内部電極との接 続によって、電気的構造は、図 1 1に示すような回路構造となる。

すなわち、第 1トランス 5の 1次側コイル 5—1の内部電極 52aに接続した外部電極 4 _ 1をアンバランス端子とすると共に、内部電極 51aに接続した外部電極 4— 2を第 1 のバランス端子とする。そして、 2次側コイル 5— 2の両端となる内部電極 53a, 54aに 接続された外部電極 4— 4, 4— 5をグランド端子とする。また、第 2トランス 6の 1次側 コイル 6—1の内部電極 64aが 1次側コイルの内部電極 52aに接続している。そして、 内部電極 63aが、外部電極 4— 4を通じて、第 1トランス 5の 2次側コイル 5— 2の内部 電極 53aに接続している。そして、 2次側コイル 6— 2の内部電極 62aが第 1トランス 5 の 2次側コイル 5— 2の内部電極 54aに接続している。また、 2次側コイル 6— 2の内部 電極 61aに接続した外部電極 4 3を第 2のバランス端子とする。

かかる回路構造は、図 22に示した 1対 4型のバルントランスと同構造である。しかし 、この実施例の積層型バルントランスは、図 6及び図 10に示したように、第 1トランス 5 の 1次側コイル 5— 1の線幅が内部電極 52a側から内部電極 51 a側に向かって減少 するように設定され、第 2トランス 6の 2次側コイル 6— 2の線幅が内部電極 62a側から 内部電極 61a側に向かって減少するように設定されているので、図 1において、アン バランス端子である外部電極 4—1側のインピーダンスと第 1及び第 2のバランス端子 である外部電極 4 2, 4— 3側のインピーダンスとの比を 1対 4でなぐ 1対 5や 1対 6 等のように、 1対 4よりも大きくすることができる。

[0025] 次に、この実施例の積層型バルントランスが示す作用及び効果について説明する

図 12は、積層型バルントランスを線路上に実装した状態を示す平面図である。 図 12において、信号ライン A1とグランドライン A2とで成る線路 Aの特性インピーダ ンスが 50 Ωで、信号ライン Bl , B2とグランドライン B3とで成る線路 Bの特性インピー ダンスが 200 Ωの場合には、図 22に示した 1対 4型の積層型バルントランスを用いる こと力 Sできる。

しかし、実際の線路では、線路 A側と線路 B側との特性インピーダンスの比が 1対 4 にならず、 1対 4から大きくずれた比になる場合が多い。このような線路に従来の積層 型バルントランスを実装しても、適正なバランス特性を得ることができず、その揷入損 失が大きい。

これに対して、この実施例の積層型バルントランスでは、上記のように、アンバランス 端子である外部電極 4 _ 1側のインピーダンスと第 1及び第 2のバランス端子である外 部電極 4_ 2, 4_ 3側のインピーダンスとの比を 1対 6に設定することで、揷入損失の 少ない実装が可能となる。

具体的には、第 1トランス 5の 1次側コイル 5—1の線幅と第 2トランス 6の 2次側コイル 6 _ 2の線幅の変化を適宜設定し、外部電極 4 _ 1側のインピーダンスと外部電極 4 - 2, 4— 3側のインピーダンスとの比を 1対 6に設定する。そして、かかる設定状態で 、図 12に示すように、アンバランス端子である外部電極 4—1を線路 A側の信号ライン A1に接続すると共に、外部電極 4— 5をグランドライン A2に接続し、第 1及び第 2の バランス端子である外部電極 4 2, 4— 3を線路 B側の信号ライン Bl , B2に接続す ると共に、外部電極 4 4をグランドライン B3に接続する。これにより、積層型バルント ランスが適正なバランス特性を示す。

発明者は、かかる想定を確認すベぐシミュレーションを行った。

シミュレーションでは、まず、第 1トランス 5の 1次側コイル 5—1と第 2トランス 6の 2次 側コイル 6— 2との線幅に図 6や図 10に示したような変化をつけず、線幅を均一にし た 1対 4型の積層型バルントランスを 50 Ω線路 Aと 300 Ωの線路 B間に実装して、 47 0MHz, 750MHz, 790MHzの高周波に対する揷入損失(dB)を計算した。すると 、この 1対 4型の積層型バルントランスでは、 470MHz, 750MHz, 790MHzの各高 周波に対して、 -0. 894dB, - 1. 052dB, —1. 085dBの揷入損失であった。 次に、第 1トランス 5の 1次側コイル 5—1と第 2トランス 6の 2次側コイル 6— 2との線幅 に図 6や図 10に示したような変化をつけてインピーダンス比を 1対 6にしたこの実施例 の積層型バルントランスを 50 Ω線路 Aと 300 Ωの線路 B間に実装して、 470MHz, 7 50MHz, 790MHzの高周波に対する揷入損失(dB)を計算した。すると、この実施

例の積層型バルントランスでは、 470MHz, 750MHz, 790MHzの各高周波に対 して、 -0. 864dB, -0. 909dB, —0. 923dBの挿入損失であり、挿入損失力 S極め て小さくなることが確認された。

[0027] 以上のように、この実施例の積層型バルントランスによれば、アンバランス端子に対 するバランス端子側のインピーダンスの比を、 5、 6、 7…等のように、実装する線路の インピーダンスに合わせた比に任意に設定することができるので、各種インピーダン スの線路に低挿入損失で実装することができる。

なお、この実施例では、第 1トランス 5の 1次側コイル 5—1と第 2トランス 6の 2次側コ ィル 6— 2だけでなぐ第 1トランス 5の 2次側コイル 5— 2や第 2トランス 6の 1次側コィ ノレ 6—1の線幅にも、図 6や図 10に示すような変化をつけた積層型バルントランスを 例示したが、 1次側コイル 5—1と 2次側コイル 6— 2にだけ、線幅の変化をつけ、 2次 側コィノレ 5 - 2や 1次側コイル 6 _ 1の線幅を均一した積層型バルントランスでも、この 実施例とほぼ同様の作用及び効果を奏する。

実施例 2

[0028] 次に、この発明の第 2実施例について説明する。

図 13は、この発明の第 2実施例に係る積層型バルントランスの分解斜視図であり、 図 14は、 1次側コイル 8_ 1の下層の導体パターンを示す平面図であり、図 15は、中 間の絶縁体層 72を示す平面図であり、図 16は、 1次側コイル 8— 1の上層の導体パ ターンを示す平面図であり、図 17は、 2次側コイル 8 _ 2の下層の導体パターンを示 す平面図であり、図 18は、中間の絶縁体層 74を示す平面図であり、図 19は、 2次側 コィノレ 8 - 2の上層の導体パターンを示す平面図である。

[0029] 図 13に示すように、この実施例の積層型バルントランスは、一のトランス 8を内包し た積層体 2を磁性体基板 1 , 3で挟み、側面に 4つの 4_ 1〜4_4を取り付けた構成 になっている。

具体的には、トランス 8を、上下で向かい合う 1次側コイル 8—1と 2次側コイル 8— 2 とで構成し、 1次側コイル 8—1を導体パターン 81と導体パターン 82とで形成し、 2次 側コイル 8— 2を導体パターン 83と導体パターン 84とで形成した。

図 14に示すように、導体パターン 81は、内側から引き出された内部電極 81aを有

するパターン 81bと外側のパターン 81cとで形成されている。また、導体パターン 82 は、図 16に示すように、外側に引き出された内部電極 82aを有するパターン 82bと内 側のパターン 82cとで形成されている。そして、導体パターン 82のパターン 82bの端 部 821/ と導体パターン 81のパターン 81cの端部 81 とが図 15に示す絶縁体層 7 2のスルーホール 72aを通じて接続されている。また、パターン 81cの端部 81 ' と パターン 82cの端部 82 とがスルーホール 72bを通じて接続され、パターン 82cの 端部 82 ' とパターン 81bの端部 811/ とがスルーホール 72cを通じて接続されて いる。このようにして、内部電極 81a, 82aを両端とするスパイラル状の 1次側コイル 8 _ 1が形成されている。

[0030] 力、かる 1次側コイル 8—1においても、パターン 82bの線幅が最も太ぐパターン 81c , 82cの順で線幅が細くなり、パターン 81bの線幅が最も細くなるように形成され、一 方端である内部電極 82a側から他方端である内部電極 81a側に向かって細くなつて いる。

[0031] 一方、導体パターン 83, 84は、図 13に示すように、絶縁体層 73を介して導体パタ ーン 81 , 82の上方に配されている。

図 17に示すように、導体パターン 83は、内側から引き出された内部電極 83aを有 するパターン 83bと外側のパターン 83cとで形成されている。また、導体パターン 84 は、図 19に示すように、外側に引き出された内部電極 84aを有するパターン 84bと内 側のパターン 84cとで形成されている。そして、導体パターン 84のパターン 84bの端 部 84 と導体パターン 83のパターン 83cの端部 83 とが図 18に示す絶縁体層 7 4のスルーホール 74aを通じて接続されている。また、パターン 83cの端部 83 ' と パターン 84cの端部 84 とがスルーホール 74bを通じて接続され、パターン 84cの 端部 84 ' とパターン 83bの端部 831/ とがスルーホール 74cを通じて接続されて いる。このようにして、内部電極 83a, 84aを両端とするスパイラル状の 2次側コイル 8 _ 2が形成されている。

[0032] 力、かる 2次側コイル 8— 2においても、パターン 84bの線幅が最も太ぐパターン 83c , 84cの順で線幅が細くなり、パターン 83bの線幅が最も細くなるように形成され、一 方端である内部電極 84a側から他方端である内部電極 83a側に向かって細くなつて

いる。

[0033] そして、図 13に示すように、外部電極 4—1が導体パターン 82の内部電極 82aに電 気的に接続し、外部電極 4 2が導体パターン 81の内部電極 8 laに電気的に接続し ている。そして、外部電極 4— 3が導体パターン 83の内部電極 83aに電気的に接続 し、外部電極 4— 4が導体パターン 84の内部電極 84aに電気的に接続している。

[0034] 図 20は、第 2実施例の積層型バルントランスの等価回路図である。

図 20に示すように、 1次側コイル 8—1の内部電極 82aに接続した外部電極 4—1を アンバランス端子とすると共に、内部電極 81aに接続した外部電極 4— 2を第 1のバラ ンス端子とする。そして、 2次側コイル 8 _ 2の内部電極 83aに接続した外部電極 4 _ 3を第 2のバランス端子とすると共に、内部電極 84aに接続した外部電極 4— 4をダラ ンド端子とすることで、 1対 1型のノレントランスと同構造になる。

しかし、この実施例の積層型バルントランスは、トランス 8の 1次側コイル 8—1の線幅 が内部電極 82a側から内部電極 81a側に向かって減少するように設定され、 2次側コ ィノレ 8— 2の線幅も、内部電極 84a側から内部電極 83a側に向かって減少するように 設定されているので、アンバランス端子である外部電極 4—1側のインピーダンスと第 1及び第 2のバランス端子である外部電極 4 2, 4— 3側のインピーダンスとの比を 1 対 1でなぐ 1対 1 · 5や 1対 2· 0等のように、 1対 1よりも大きくすることができる。

[0035] 逆に、外部電極 4— 2をアンバランス端子とすると共に、外部電極 4— 3をグランド端 子とし、外部電極 4—1 , 4— 4を第 1及び第 2のバランス端子とすることで、アンバラン ス端子である外部電極 4 2側のインピーダンスと第 1及び第 2のバランス端子である 外部電極 4—1 , 4 4側のインピーダンスとの比を 1対 1でなぐ 1対 0· 75や 1対 0. 5 等のように、 1対 1よりも/ J、さくすることができる。

その他の構成,作用及び効果は上記第 1実施例と同様であるので、その記載は省 略する。

実施例 3

[0036] 次に、この発明の第 3実施例について説明する。

図 21は、この発明の第 3実施例に係る積層型バルントランスの等価回路図である。 この実施例は、図 1に示した積層型バルントランスのごとぐ磁性体基板 1 , 3間に積 層体 2を挟み、その側面に外部電極 4一:!〜 4一 6を取り付けた構成において、図 21 に示すように、 n (n = 3以上の整数)個の第 1トランス 9 (1)〜第 nトランス 9 (n)を積層 体 2に内包した。

[0037] 具体的には、第 1トランス 9 (1)の 1次側コイル 9—1の左方端を外部電極 4—1に接 続して、アンバランス端子とすると共に、右方端を外部電極 4— 2に接続して第 1のバ ランス端子とした。また、最終段の第 nトランス 9 (n)では、 2次側コイル 9— 2の左方端 を外部電極 4一 5に接続してグランド端子とすると共に、右方端を外部電極 4一 3に接 続して、第 2のバランス端子とした。

そして、第 1トランス 9 (1)〜第 n_ lトランス 9 (n_ l)の各 2次側コイル 9— 2の左方 端を第 nトランス 9 (n)の 2次側コイル 9— 2の左方端に接続した。すなわち、第 1トラン ス 9 (1)〜第 nトランス 9 (n)のすベての 2次側コイル 9 _ 2の左方端を外部電極 4 _ 5 に接続して、グランド端子とした。また、第 2トランス 9 (2)〜第 nトランス 9 (n)の 1次側 コイル 9—1の左方端を第 1トランス 9 (1)の 1次側コイル 9—1の左方端に接続した。 すなわち、第 1トランス 9 (1)〜第 nトランス 9 (n)の全ての 1次側コイル 9 1の左方端 を外部電極 4—1に接続して、アンバランス端子とした。そして、第 2トランス 9 (2)〜第 nトランス 9 (n)の 1次側コイル 9 1の右方端を前段のトランス 9 (1)〜9 (n— 1)の 2次 側コイル 9 2の右方端にそれぞれ接続した。

[0038] かかる電気回路構造において、 1次側及び 2次側コイル 9— 1 , 9— 2の線幅が均一 であるならば、この積層型バルントランスは、 1対 n2型の積層型バルントランスである 力 この実施例においても、上記第 1及び第 2実施例と同様に、第 1トランス 9 (1)の 1 次側コイル 9 1の線幅を左方端側から右方端側に向かって増加又は減少するよう に設定し、第 nトランス 9 (n)の 2次側コイル 9— 2の線幅を左方端側から右方端側に 向かって増加又は減少するように設定してある。すなわち、これらのコイルの線幅を、 アンバランス端子側から第 1及び第 2のバランス端子側に向かって増加又は減少させ ている。

これにより、第 1トランス 9 (1)の 1次側コイル 9 _ 1及び第 nトランス 9 (n)の 2次側コィ ノレ 9— 2の線幅をアンバランス端子側から第 1及び第 2のバランス端子側に向かって 増加させる構造にすると、外部電極 4一 1側のインピーダンスと外部電極 4一 2, 4- 3

側のインピーダンスとの比を、 1対 nよりも小さくすることができる。また、逆に、線幅を アンバランス端子側から第 1及び第 2のバランス端子側に向かって減少させる構造に すると、外部電極 4 1側のインピーダンスと外部電極 4 2, 4— 3側のインピーダン スとの比を、 1対 n2よりも大きくすることができる。

その他の構成,作用及び効果は、上記第 1及び第 2実施例と同様であるので、その 記載は省略する。

なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなぐ発明の要旨の範囲内に おいて種々の変形や変更が可能である。

例えば、上記第 1実施例では、アンバランス端子側から第 1及び第 2のバランス端子 側に向かって線幅を減少させたコイルを適用した積層型バルントランスを例示したが 、これに限定されるものではなぐ線幅をアンバランス端子側から第 1及び第 2のバラ ンス端子側に増加させたコイルを適用した積層型バルントランスもこの発明の範囲に 含まれることは勿論である。