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1. WO2007137824 - COLD-PRESSED SPUTTER TARGETS

Note: Text based on automatic Optical Character Recognition processes. Please use the PDF version for legal matters

[ DE ]

Patentansprüche

1. Sputtertarget mit einem Sputtermaterial aus einer Legierung oder Materialmischung aus mindestens zwei Komponenten, wobei die beiden Komponenten im thermodynamischen Ungleichgewicht vorliegen, dadurch gekennzeichnet, dass die Komponenten durch ein isostatisches oder uniaxiales Kalt-Press-Verfahren kompaktiert sind.

2. Sputtertarget nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Komponenten eine Härte von weniger als 100 MPa (Brinell Härte) aufweist, wobei diese Komponente mindestens 20 Vol% der gesamten Pulvermischung aufweist.

3. Sputtertarget nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Komponenten als Pulver vorliegt.

4. Sputtertarget nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Komponenten aus Metallen oder Legierungen oder aus einem Gemisch aus Metall oder Legierung mit keramischem Material gebildet sind.

5. Sputtertarget nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Komponenten aus mindestens einem Metall aus der Gruppe Indium, Zinn oder Wismuth oder aus einer Legierung auf Basis dieser Metalle besteht.

6. Sputtertarget nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Komponenten aus Indium oder aus einer Indiumbasislegierung gebildet ist.

7. Sputtertarget nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Komponenten eine metallische Reinheit von größer 99,9 % aufweist.

8. Sputtertarget nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Sputtermaterial aus den Komponenten:
a. Indium oder Indiumbasislegierung
b. Kupfer- oder Kupferbasislegierung
gebildet ist.

9. Sputtertarget nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Sputtermaterial auf einer Trägerplatte oder auf einem Trägerrohr stoffschlüssig angeordnet ist.

10. Verfahren zum Herstellen eines Sputtertargets nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Komponenten durch ein isostatisches oder uniaxiales Kalt-Press-Verfahren konnpaktiert werden.

11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Komponenten nach dem Kaltpressen keiner thermischen Behandlung ausgesetzt werden.

12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11 , dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Komponenten des Sputtermaterials durch ein axiales Pressverfahren auf eine metallische Trägerplatte aufgepresst und ein stoffschlüssiger Verbund aus Sputtermaterial und Trägerplatte gebildet wird.

13. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11 , dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Komponenten des Sputtermaterials durch ein axiales Pressverfahren zu einer Targetplatte verpresst wird und diese Targetplatte separat vom Pressvorgang auf eine Trägerplatte geklebt oder gelötet wird.

14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Prozesstemperatur des Klebe- oder Lötvorgangs niedriger ist, als die niedrigste Schmelztemperatur der Komponenten.

15. Verfahren nach Anspruch 10 oder 1 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Komponenten durch ein isostatisches Pressverfahren auf ein Trägerrohr aufgepresst und ein stoffschlüssiger Verbund aus Sputtermaterial und Trägerrohr gebildet wird.