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1. (WO2007098071) PROCESS TUNING GAS INJECTION FROM THE SUBSTRATE EDGE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/098071    International Application No.:    PCT/US2007/004225
Publication Date: 30.08.2007 International Filing Date: 16.02.2007
IPC:
C23F 1/00 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538 (US) (For All Designated States Except US).
DHINDSA, Rajinder [US/US]; (US) (For US Only).
SRINIVASAN, Mukund [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: DHINDSA, Rajinder; (US).
SRINIVASAN, Mukund; (US)
Agent: CHENG, Lie-Yea; Martine Penilla & Gencarella, 710 Lakeway Drive, Suite 200, Sunnyvale, CA 94538 (US)
Priority Data:
11/359,300 21.02.2006 US
Title (EN) PROCESS TUNING GAS INJECTION FROM THE SUBSTRATE EDGE
(FR) INJECTION DE GAZ RÉGLANT LE TRAITEMENT À PARTIR DU BORD D'UN SUBSTRAT
Abstract: front page image
(EN)Broadly speaking, the embodiments of the present invention provides an improved plasma processing mechanism, apparatus, and method to increase the process uniformity at the very edge of the substrate. In an exemplary embodiment, a plasma processing chamber is provided. The plasma processing chamber includes a substrate support configured to receive a substrate. The plasma processing chamber also includes an annular ring having a plurality of gas channels defined therein. The annular ring is proximate to an outer edge of the substrate support and the annular ring is coupled to the substrate support. The plurality of gas channels is connected to an edge gas plenum surrounding the substrate support. The edge gas plenum is connected to a central gas plenum disposed within and near the center of the substrate support through a plurality of gas supply channels.
(FR)De manière générale, les modes de réalisation de la présente invention concernent un mécanisme de traitement par plasma amélioré, un dispositif et un procédé permettant d'augmenter l'uniformité de traitement au bord même du substrat. Dans un exemple de mode de réalisation, l'invention concerne un réacteur de traitement par plasma. Le réacteur de traitement par plasma comporte un support de substrat configuré pour accueillir un substrat. Le réacteur de traitement par plasma comprend également une bague annulaire dans laquelle est définie une pluralité de canaux de gaz. La bague annulaire est proche d'un bord externe du support de substrat et la bague annulaire est couplée au support de substrat. La pluralité de canaux de gaz est connectée à un plenum de gaz périphérique entourant le support de substrat. Le plenum de gaz périphérique est connecté à un plenum de gaz central disposé à l'intérieur et près du centre du support de substrat au moyen d'une pluralité de canaux d'alimentation en gaz.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)