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1. (WO2007096806) MAGNETORESISTIVE SENSOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING SUCH MAGNETORESISTIVE SENSOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/096806    International Application No.:    PCT/IB2007/050466
Publication Date: 30.08.2007 International Filing Date: 13.02.2007
IPC:
G01R 33/09 (2006.01)
Applicants: NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL) (For All Designated States Except US).
KRAEMER, Arne [DE/DE]; (AT) (For US Only).
BUCHHOLD, Reinhard [DE/DE]; (AT) (For US Only)
Inventors: KRAEMER, Arne; (AT).
BUCHHOLD, Reinhard; (AT)
Agent: RÖGGLA, Harald; NXP Semiconductors Austria GmbH, Gutheil-Schoder-Gasse 8-12, A-1102 Vienna (AT)
Priority Data:
06110312.3 23.02.2006 EP
Title (EN) MAGNETORESISTIVE SENSOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING SUCH MAGNETORESISTIVE SENSOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CAPTEUR MAGNÉTORÉSISTIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF DE CAPTEUR MAGNÉTORÉSISTIF
Abstract: front page image
(EN)In order to further develop a magnetoresistive sensor device (100; 100'; 100') comprising at least one substrate or wafer (10), in particular at least one silicon wafer, and at least one sensing element (30), in particular at least one A[nisotropic]M[agneto]R[esistive] sensing element and/or - at least one G[iant]M[agneto]R[esistive] sensing element, for example at least one multilayer G[iant]M[agneto]R[esistive] sensing element, said sensing element (30) being arranged on and/or under the substrate or wafer (10), as well as a corresponding method of fabricating such magnetoresistive sensor device (100; 100'; 100') in such way that an external or extra bias magnetic field to preset the sensing element (10) and/or the magnetoresistive sensor device (100; 100'; 100') can be dispensed with, it is proposed to arrange at least one magnetic layer (20t, 20b) on (20t) and/or under (20b) the substrate or wafer (10) and at least partially on (20t) and/or under (20b) the sensing element (30), said magnetic layer (20t, 20b) providing at least one bias magnetic field.
(FR)L'objet de l'invention est de développer plus avant un dispositif de capteur magnétorésistif (100 ; 100' ; 100') comprenant au moins un substrat ou une plaquette (10), en particulier au moins une plaquette de silicium, et au moins un élément capteur (30), en particulier au moins un élément capteur M[agnéto]R[ésistif]A[nisotrope] et/ou - au moins un élément capteur M[agnéto]R[ésistif]G[éant], par exemple au moins un élément capteur M[agnéto]R[ésistif]G[éant] multicouche, ledit élément capteur (30) étant disposé sur et/ou sous le substrat ou la plaquette (10), ainsi qu'un procédé correspondant de fabrication d'un tel dispositif de capteur magnétorésistif (100 ; 100' ; 100') de telle sorte qu'il est possible de se passer d'un champ magnétique polarisé externe ou supplémentaire pour prérégler l'élément capteur (10) et/ou le dispositif de capteur magnétorésistif (100 ; 100' ; 100'). A cette fin, on propose de disposer au moins une couche magnétique (20t, 20b) sur (20t) et/ou sous (20b) le substrat ou la plaquette (10) et au moins partiellement sur (20t) et/ou sous (20b) l'élément capteur (30), ladite couche magnétique (20t, 20b) générant au moins un champ magnétique polarisé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)