WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2007096225) PRESSURE SENSOR WITH RESISTIVE GAUGES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/096225    International Application No.:    PCT/EP2007/050766
Publication Date: 30.08.2007 International Filing Date: 26.01.2007
IPC:
G01L 9/00 (2006.01)
Applicants: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 25, Rue Leblanc, Immeuble "le Ponand D", F-75015 Paris (FR) (For All Designated States Except US).
DELAPIERRE, Gilles [FR/FR]; (FR) (For US Only).
GRANGE, Hubert [FR/FR]; (FR) (For US Only).
REY, Patrice [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: DELAPIERRE, Gilles; (FR).
GRANGE, Hubert; (FR).
REY, Patrice; (FR)
Agent: GUERIN, Michel; 31-33, Avenue Aristide Briand, F-94117 Arcueil (FR)
Priority Data:
0601652 24.02.2006 FR
Title (EN) PRESSURE SENSOR WITH RESISTIVE GAUGES
(FR) CAPTEUR DE PRESSION A JAUGES RESISTIVES
Abstract: front page image
(EN)According to the invention the sensor is provided with a cavity (V) hermetically sealed on one side by a silicon substrate (40) and on the other side by a diaphragm (58) that can be deformed under the effect of the pressure external to the cavity, the sensor having at least one resistive gauge (54, 56) fastened to the diaphragm and having resistance that varies as a function of the deformation of the diaphragm. The diaphragm, preferably made of silicon nitride, is fastened to the resistive gauges. The gauges are located beneath the diaphragm inside the sealed cavity (V). It is unnecessary to etch the substrate to produce the cavity: the diaphragm is formed by depositing an insulating layer on a sacrificial layer, for example made of a polyimide, and may cover integrated measurement circuits in the silicon substrate.
(FR)Selon l'invention on prévoit que le capteur comporte une cavité (V) hermétiquement fermée d'un côté par un substrat (40) de silicium, et de l'autre par une membrane (58) déformable sous l'effet de la pression extérieure à la cavité, le capteur comportant au moins une jauge résistive (54, 56) solidaire de la membrane et ayant une valeur de résistance variable en fonction des déformations de la membrane. La membrane, de préférence en nitrure de silicium, est solidaire des jauges résistives. Les jauges sont situées sous la membrane à l'intérieur de la cavité fermée (V). Il n'est pas nécessaire de creuser le substrat pour réaliser la cavité : la membrane est formée par dépôt d'une couche isolante sur une couche sacrificielle, par exemple en polyimide ; elle peut recouvrir des circuits de mesure intégrés dans le substrat de silicium.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)