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1. (WO2007095973) INTEGRATED SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PROCESSING USING LIQUID PHASE METAL DEPOSITION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/095973    International Application No.:    PCT/EP2006/002853
Publication Date: 30.08.2007 International Filing Date: 24.02.2006
IPC:
H01L 21/00 (2006.01), C23C 16/00 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01)
Applicants: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US) (For All Designated States Except US).
FARKAS, Janos [US/FR]; (FR) (For US Only).
GOLDBERG, Cindy [US/US]; (US) (For US Only).
YU, Katie [US/US]; (US) (For US Only).
KORDIC, Srdjan [NL/NL]; (NL) (For US Only)
Inventors: FARKAS, Janos; (FR).
GOLDBERG, Cindy; (US).
YU, Katie; (US).
KORDIC, Srdjan; (NL)
Agent: WHARMBY, Martin, Angus; c/o Impetus IP Ltd, Grove House, Lutyens Close, Chineham Court, Basingstoke, Hampshire RG24 8AG (GB)
Priority Data:
Title (EN) INTEGRATED SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PROCESSING USING LIQUID PHASE METAL DEPOSITION
(FR) SYSTÈME INTÉGRÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT À SEMI-CONDUCTEURS PAR DÉPÔT MÉTALLIQUE EN PHASE LIQUIDE
Abstract: front page image
(EN)A system for processing a semiconductor substrate during fabrication of semiconductor devices provides a plurality of semiconductor substrate processing stations in a physically integrated system, as well as a semiconductor substrate transport system for transporting a semiconductor substrate between the respective processing stations. In particular, the processing system according to the present invention favors the use of liquid phase process steps, particularly deposition process steps, instead of gas or vapor phase processing. Even more particularly, the system contemplates deposition of a metallic barrier layer (30) on the semiconductor substrate in liquid phase.
(FR)L'invention concerne un système de traitement d'un substrat à semi-conducteurs au cours de la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs, comprenant une pluralité de stations de traitement de substrat à semi-conducteurs dans un système physiquement intégré, ainsi qu'un système de transport du substrat à semi-conducteurs entre les stations de traitement correspondantes. Le système de traitement de la présente invention favorise l'utilisation d'étapes de traitement en phase liquide, en particulier des étapes de traitement par dépôt, au lieu d'un traitement en phase gazeuse ou en phase vapeur. Ce système permet plus particulièrement le dépôt d'une couche barrière métallique (30) sur le substrat à semi-conducteurs en phase liquide.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)