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1. (WO2007095509) DIFFERENTIAL AMPLIFIER WITH OVER-VOLTAGE PROTECTION AND METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/095509    International Application No.:    PCT/US2007/062015
Publication Date: 23.08.2007 International Filing Date: 13.02.2007
IPC:
G06G 7/12 (2006.01)
Applicants: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US) (For All Designated States Except US).
ALENIN, Sergey, V. [--/US]; (US) (For US Only).
SURTIHADI, Henry [ID/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ALENIN, Sergey, V.; (US).
SURTIHADI, Henry; (US)
Agent: FRANZ, Warren, L.; Texas Instrument Incorporated, Deputy General Patent Counsel, P.o. Box 655474, MS 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US)
Priority Data:
11/353,186 13.02.2006 US
Title (EN) DIFFERENTIAL AMPLIFIER WITH OVER-VOLTAGE PROTECTION AND METHOD
(FR) AMPLIFICATEUR DIFFÉRENTIEL AVEC PROTECTION CONTRE LES SURTENSIONS ET MÉTHODE
Abstract: front page image
(EN)Circuitry for preventing damage to bipolar transistors in integrated circuit amplifier circuitry during slew-limited operation includes first (Ql or Q3) and second transistors (Q2 or Q4), each having first, second, and third electrodes, a first one of the first and second electrodes of the first transistor being coupled to receive a first signal (Vin+ or Vin++), and a first one of the first and second electrodes of the second transistor being coupled to receive a second signal (Vin- or Vin-- ). A first separator transistor (J3) having a first current-carrying electrode coupled to the first one of the first and second electrodes of the first transistor and a second current-carrying electrode coupled to the first one of the first and second electrodes of the second transistor.
(FR)L'invention concerne un circuit protégeant contre les dommages causés à des transistors bipolaires dans un circuit amplificateur de circuit intégré pendant une opération à balayage limité comprenant des premiers (Q1 ou Q3) et deuxièmes (Q2 ou Q4) transistors, chacun ayant une première, une deuxième et une troisième électrodes, la première ou la deuxième électrode du premier transistor étant couplée pour recevoir un premier signal (Vin+ ou Vin+ +) et la première ou la première et la deuxième électrode du deuxième transistor étant couplée pour recevoir un deuxième signal (Vin- ou Vin- -). Un premier transistor de séparation (J3) ayant une première électrode de transport de courant couplée à la première ou la deuxième électrode du premier transistor et une deuxième électrode de transport de courant couplée à la première ou la deuxième électrode du deuxième transistor est commandé de façon à isoler électriquement la première ou la deuxième électrode du premier transistor de la première ou la deuxième électrode du deuxième transistor en réaction au premier et au deuxième signaux pour éviter l'application d'une tension de polarisation inverse à une jonction PN du premier ou du deuxième transistor.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)